[发明专利]钙钛矿发光器件及其制备方法、显示装置和钙钛矿溶液有效
申请号: | 201911268695.0 | 申请日: | 2019-12-11 |
公开(公告)号: | CN111063830B | 公开(公告)日: | 2023-02-07 |
发明(设计)人: | 吴永伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H10K85/10 | 分类号: | H10K85/10;H10K85/30;H10K71/00;H10K50/11 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 发光 器件 及其 制备 方法 显示装置 溶液 | ||
本申请提供一种钙钛矿发光器件及其制备方法、显示装置和钙钛矿溶液。钙钛矿发光器件包括阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层。所述空穴传输层设置于所述阳极层上。所述发光层设置于所述空穴传输层上。所述发光层包括钙钛矿薄膜。所述电子传输层设置于所述发光层上。所述阴极层设置于所述电子传输层上。所述钙钛矿薄膜包括钙钛矿、溶剂和聚合物。所述聚合物包覆所述钙钛矿。所述钙钛矿的化学式为A2Bn‑1CnX3n+1,其中,n≥1,所述n为正整数。通过将钙钛矿和聚合物应用于钙钛矿发光器件中,使得钙钛矿薄膜可以大面积制备,进而降低生产成本,并因所述聚合物包覆所述钙钛矿,保护了钙钛矿,进而提高了钙钛矿发光器件的性能。
技术领域
本申请涉及发光领域,具体涉及一种钙钛矿发光器件及其制备方法、显示装置和钙钛矿溶液。
背景技术
已知的钙钛矿薄膜被用于发光器件中,在现有技术的钙钛矿发光器件的制备中,因钙钛矿溶液在空气中不稳定,造成所制备的钙钛矿薄膜具有缺陷,进而影响了钙钛矿发光器件的性能。
另外,通常所采用的制备方式不能大面积制备钙钛矿薄膜,且因钙钛矿溶液在空气中不稳定,在制备钙钛矿薄膜时需在惰性气体氛围中进行,使得钙钛矿器件的制备工序繁琐,且生产成本增加。
发明内容
本申请提供一种钙钛矿发光器件及其制备方法、显示装置和钙钛矿溶液,以提高钙钛矿发光器件的性能,并降低生产成本。
本申请提供一种钙钛矿发光器件,包括:
阳极层;
空穴传输层,所述空穴传输层设置于所述阳极层上;
发光层,所述发光层设置于所述空穴传输层上,所述发光层包括钙钛矿薄膜;
电子传输层,所述电子传输层设置于所述发光层上;
阴极层,所述阴极层设置于所述电子传输层上;
所述钙钛矿薄膜包括钙钛矿和聚合物,所述聚合物包覆所述钙钛矿,所述钙钛矿的化学式为A2Bn-1CnX3n+1,其中,n≥1,所述n为正整数,所述A选自R1-NH3+、R2-NH3+和D-R3-NH3+中的一种或多种,所述R1为C6-C20的芳香基,所述R2为C1-C20的烷基,所述R3为C6-C20的芳香基,所述D包括-F、-Cl、-Br和-I中的一种或多种,所述B选自R4-NH3+、NH2-R5=NH2+、Cs+和Rb+中的一种或多种,所述R4为C1-C20的烷基,所述R5为C1-C20的烃基,所述C选自Pb2+和Sn2+中的一种或两种,所述X包括-F、-Cl、-Br和-I中的一种或多种,所述聚合物为高分子聚合物。
在本申请所提供的钙钛矿发光器件中,所述高分子聚合物包括环氧树脂、聚氨酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚砜、酚醛树脂、聚苯硫醚、聚丙烯酸酯和乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一种或几种。
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