[发明专利]一种单一取向锌镓氧薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201911268997.8 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111081533A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 刘可为;韩冬阳;申德振;陈星;张振中;李炳辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 任美玲 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单一 取向 锌镓氧 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种单一取向ZnGa2O4薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
以有机锌化合物作为锌源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底表面沉积ZnGa2O4薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机锌化合物为二乙基锌和/或二甲基锌；所述有机镓化合物为三甲基镓和/或三乙基镓。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机锌化合物以高纯氮气为载气，所述载气流速为5～20sccm；所述有机镓化合物以高纯氮气为载气，所述载气流速为10～40sccm；所述氧气流速为100～400sccm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底选自蓝宝石衬底、氧化镁或铝酸镁。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的温度为400～1100℃；所述沉积的时间为1h～3h；进行沉积的真空度为5×102～1×104Pa。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述生长结束后，降低衬底温度到室温，得到ZnGa2O4薄膜；所述降温的速率为0.2～0.8℃/s。
7.一种如权利要求1～6任意一项所述的制备方法制备得到的单一取向ZnGa2O4薄膜，其特征在于，所述ZnGa2O4薄膜为尖晶石结构，沿(111)、(222)、(333)取向生长，为单一取向。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
