[发明专利]引线焊接结构、引线焊接方法及半导体器件

说明书

本申请涉及一种引线焊接结构、基于该引线焊接结构的引线焊接方法及通过该引线焊接方法形成的半导体器件。其中，引线焊接结构包括形成于基底内的电路层和依次叠设于电路层上的焊垫、阻挡层和钝化层，阻挡层的硬度大于焊垫的硬度，阻挡层的预设区域内开设有暴露出焊垫的第一窗口且第一窗口未超出预设区域，预设区域的宽度小于打线后的焊球的宽度；钝化层上开设有宽度大于预设区域的第二窗口，通过第二窗口暴露出全部预设区域的第二窗口。通过在钝化层和焊垫之间设置阻挡层，在阻挡层上可设第一窗口并限定阻挡层的开窗范围，打线后的焊球可以覆盖所有第一窗口，使焊球与焊垫焊接的同时，还能避免焊垫溢出。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种引线焊接结构、引线焊接方法及半导体器件。

背景技术

在半导体器件的后段制程中，会涉及到引线的焊接，以从基底内的电路层引出电连接端子。为保护电路层，通常在电路层上还设有一层软质的金属层作为焊垫，焊球具体是与焊垫焊接。由于焊垫质地相对较软，将焊球按压于焊垫上时，一方面，受挤压的焊垫金属会向两侧排出，使焊球与电路层之间的焊垫变薄或焊球直接作用于电路层上，导致电路层受到的冲击力较大而断裂；另一方面，受挤压的焊垫金属向两侧排出时，会在两侧形成导电颗粒，影响器件的电性性能。

发明内容

基于此，本申请提出一种引线焊接结构、引线焊接方法及半导体器件，可避免引线焊接过程对器件性能的影响。

为解决上述技术问题，本申请提出的第一种技术方案为：

一种引线焊接结构，包括：

基底；

电路层，形成于所述基底内；

焊垫，形成于所述电路层上并与所述电路层电连接；

阻挡层，形成于所述焊垫上，所述阻挡层的硬度大于所述焊垫的硬度，所述阻挡层的预设区域内开设有暴露出所述焊垫的第一窗口且所述第一窗口未超出所述预设区域，所述预设区域的宽度小于打线后的焊球的宽度；以及

钝化层，形成于所述阻挡层上，所述钝化层上开设有宽度大于所述预设区域宽度的第二窗口，通过所述第二窗口暴露出全部所述预设区域。

在其中一个实施例中，所述阻挡层的预设区域内开设一个第一窗口，且所述第一窗口的投影与所述预设区域的投影重合。

在其中一个实施例中，所述阻挡层的预设区域内开设有一个第一窗口，所述第一窗口呈环形且所述第一窗口的外边沿与所述预设区域的边沿重合。

在其中一个实施例中，所述预设区域包含一被所述第一窗口包围的岛状区域，所述岛状区域的宽度小于打线前的焊球的宽度。

在其中一个实施例中，所述阻挡层的预设区域内开设有多个间隔设置的第一窗口，所述第一窗口呈条形且各所述第一窗口并列设置。

在其中一个实施例中，所述阻挡层的预设区域内开设有多个间隔设置的第一窗口，所述预设区域的阻挡层呈网格状。

在其中一个实施例中，所述第二窗口的开口宽度大于打线后的焊球的宽度。

在其中一个实施例中，所述预设区域的宽度比打线后的焊球的宽度小8μm～12μm。