[发明专利]晶边检测系统及检测方法在审
申请号: | 201911269014.2 | 申请日: | 2019-12-11 |
公开(公告)号: | CN112951733A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 王鑫国 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N23/2251 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 史治法 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边检 系统 检测 方法 | ||
1.一种晶边检测系统,其特征在于,包括:
光组元件,位于工艺腔室内,且位于所述工艺腔室内用于吸附晶圆的晶圆卡盘一侧,用于向所述晶圆的表面提供光线;
扫描电子显微镜,位于所述工艺腔室内,且位于所述晶圆卡盘一侧,用于获取工艺处理前所述晶圆的第一边缘图形及工艺处理后所述晶圆的第二边缘图形;
数据处理系统,用于量测基于所述第二边缘图形及所述第一边缘图形得到所述晶圆的边缘处理区域的宽度、对所述边缘处理区域内的缺陷进行标定及判断所述晶圆的中心是否偏离所述晶圆卡盘的中心,并在所述晶圆的中心偏离所述晶圆卡盘的中心时向所述工艺腔室的控制系统发送矫正指令。
2.根据权利要求1所述的晶边检测系统,其特征在于,所述晶圆检测系统包括两组所述光组元件及两组所述扫描电子显微镜,其中一组所述光组元件及一组所述扫描电子显微镜位于所述晶圆的上方,另一组所述光组元件及另一组所述扫描电子显微镜位于所述晶圆的下方。
3.根据权利要求1所述的晶边检测系统,其特征在于,所述光组元件包括明场光源及暗场光源;所述第一边缘图形包括第一明场边缘图形,所述第二边缘图形包括第二明场边缘图形及暗场边缘图形;所述数据处理系统量测基于所述第二明场边缘图形及所述第一明场边缘图形得到所述边缘处理区域的宽度,基于所述暗场边缘图形对所述边缘处理区域内的缺陷进行标定;基于所述第二明场边缘图形拟合出所述边缘处理区域的边缘处理区域图形,并基于所述边缘处理区域图形及目标边缘处理区域图形判断所述晶圆的中心是否偏离所述晶圆卡盘的中心。
4.根据权利要求3所述的晶边检测系统,其特征在于,所述数据处理系统基于所述第二明场边缘图形及所述第一明场边缘图形于所述边缘处理区域内选取多个量测点进行量测,以得到多个宽度值;多个所述量测点沿所述晶圆的周向均匀间隔排布;基于多个所述量测点的位置及其宽度值拟合出所述边缘处理区域图形。
5.根据权利要求3所述的晶边检测系统,其特征在于,所述数据处理系统包括:
宽度量测模块,用于基于所述第二明场边缘图形及所述第一明场边缘图形得到所述边缘处理区域的宽度;
缺陷检测模块,用于基于所述暗场边缘图形对所述边缘处理区域内的缺陷进行标定;
中心判断模块,用于基于所述第二明场边缘图形拟合出所述边缘处理区域的边缘处理区域图形,并基于所述边缘处理区域图形及目标边缘处理区域图形判断所述晶圆的中心是否偏离所述晶圆卡盘的中心;
反馈模块,用于在所述晶圆的中心偏离所述晶圆卡盘的中心时向所述工艺腔室的所述控制系统发送所述矫正指令。
6.一种晶边检测方法,其特征在于,包括如下步骤:
对晶圆进行工艺处理前获取所述晶圆的第一边缘图形;
对所述晶圆进行工艺处理后且将所述晶圆传送出工艺腔室前获取所述晶圆的第二边缘图形;
量测基于所述第二边缘图形及所述第一边缘图形得到所述晶圆的边缘处理区域的宽度、对所述边缘处理区域内的缺陷进行标定及判断所述晶圆的中心是否偏离所述晶圆卡盘的中心,并在所述晶圆的中心偏离所述晶圆卡盘的中心时向所述工艺腔室的控制系统发送矫正指令。
7.根据权利要求6所述的晶边检测方法,其特征在于,获取工艺处理前所述晶圆正面的边缘图形及所述晶圆背面的边缘图形,以得到所述第一边缘图形;获取工艺处理后所述晶圆正面的边缘图形及所述晶圆背面的边缘图形,以得到所述第二边缘图形。
8.根据权利要求6所述的晶边检测方法,其特征在于,工艺处理前获取所述晶圆的第一明场边缘图形作为所述第一边缘图形,工艺处理后分别获取所述晶圆的第二明场边缘图形及暗场边缘图形,所述第二明场边缘图形及所述暗场边缘图形共同构成所述第二边缘图形;量测基于所述第二明场边缘图形及所述第一明场边缘图形得到所述边缘处理区域的宽度,基于所述暗场边缘图形对所述边缘处理区域内的缺陷进行标定,基于所述第二明场边缘图形拟合出所述边缘处理区域的边缘处理区域图形,并基于所述边缘处理区域图形及目标边缘处理区域图形判断所述晶圆的中心是否偏离所述晶圆卡盘的中心。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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