[发明专利]深沟槽MOSFET终端结构及其制备方法

权利要求书

1.一种深沟槽MOSFET终端结构，其特征在于，包括：

第一导电类型的衬底，所述第一导电类型的衬底包括有源区及位于所述有源区外围的终端保护区；

第一导电类型的外延层，位于所述第一导电类型的衬底的上表面，且覆盖所述有源区及所述终端保护区；

多个第一沟槽，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述终端保护区内；多个所述第一沟槽于所述终端保护区内间隔排布；相邻所述第一沟槽之间的间距相同，或自所述有源区向远离所述有源区的方向相邻所述第一沟槽之间的间距逐渐增大；

第一介质层，覆盖各所述第一沟槽的侧壁及底部；

第一源极多晶硅层，位于各所述第一沟槽内，且位于所述第一介质层远离所述第一导电类型的外延层的表面；

多个第二导电类型的第一阱区，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于各所述第一沟槽的底部；相邻所述第二导电类型的第一阱区于相邻所述第一沟槽之间部分交迭重合；

多个第二沟槽，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述有源区内；多个所述第二沟槽于所述有源区内间隔排布，且相邻所述第一沟槽之间的间距相同时，相邻所述第二沟槽之间的间距与相邻所述第一沟槽之间的间距相同；

第二介质层，位于各所述第二沟槽的侧壁及底部；

第二源极多晶硅层，位于各所述第二沟槽内，且位于所述第二介质层远离所述第一导电类型的外延层的表面；

栅极多晶硅层，位于各所述第二沟槽内，且位于所述第二源极多晶硅层的上方或位于所述第二源极多晶硅层的上部外围；

栅氧化层，位于各所述第二沟槽的侧壁，且位于所述栅极多晶硅层与所述第一导电类型的外延层之间；

绝缘隔离层，位于各所述第二沟槽内，且位于所述栅极多晶硅层与所述第二源极多晶硅层之间。

2.根据权利要求1所述的深沟槽MOSFET终端结构，其特征在于：最远离所述有源区的所述第一沟槽底部的所述第二导电类型的第一阱区与与其相邻的所述第二导电类型的第一阱区具有间距，其余相邻所述第二导电类型的第一阱区与相邻所述第一沟槽之间部分交迭重合。

3.根据权利要求1所述的深沟槽MOSFET终端结构，其特征在于：所述深沟槽MOSFET终端结构还包括第二导电类型的第二阱区，所述第二导电类型的第二阱区位于所述第一导电类型的外延层内，且位于相邻所述第一沟槽之间。

4.根据权利要求1所述的深沟槽MOSFET终端结构，其特征在于：所述深沟槽MOSFET终端结构还包括：

至少一个第三沟槽，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述有源区与所述终端保护区的交界处；

第三介质层，覆盖所述第三沟槽的侧壁及底部；

第三源极多晶硅层，位于所述第三沟槽内。

5.根据权利要求1所述的深沟槽MOSFET终端结构，其特征在于：所述第二导电类型的第一阱区的纵截面形状包括圆形。

6.根据权利要求1所述的深沟槽MOSFET终端结构，其特征在于：所述第一导电类型包括N型且所述第二导电类型包括P型，或所述第一导电类型包括P型且所述第二导电类型包括N型。