[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成底层电磁材料膜；

在所述底层电磁材料膜表面形成前驱膜；

在所述前驱膜表面形成第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜表面形成顶层电磁材料膜。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述前驱膜的材料包括：镁、铝、铪或者锆。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述前驱膜的形成方法包括：在所述底层电磁材料膜表面形成绝缘材料膜，且所述绝缘材料膜的材料为金属氧化物；对所述绝缘材料膜进行改性处理，去除所述绝缘材料膜的材料中的氧，使所述绝缘材料膜形成前驱膜。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘材料膜的厚度范围为0埃～500埃。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属氧化物包括：氧化镁、氧化铝、二氧化铪或者二氧化锆。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘材料膜的形成工艺包括：化学气相沉积工艺或者物理气相沉积工艺。

7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理的方法包括：对所述绝缘材料膜进行还原处理，去除所述绝缘材料膜材料中的氧；所述还原处理的工艺参数包括：采用的气体包括：氢气和氦气，所述氢气的流量为50标准毫升/分钟～5000标准毫升/分钟，所述氦气的流量为0标准毫升/分钟～10000标准毫升/分钟，温度为25摄氏度～150摄氏度，时间为1秒～120分钟。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述前驱膜的形成工艺包括：化学气相沉积工艺或者物理气相沉积工艺。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一绝缘膜的形成工艺包括：化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或者原子层沉积工艺；所述第一绝缘膜的材料包括：氧化镁、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅、二氧化铪和二氧化锆中的一种或者几种组合。

10.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一绝缘膜的形成方法包括：对所述前驱膜进行氧化处理，使所述前驱膜形成第一绝缘膜，且所述第一绝缘膜的厚度小于或者等于前驱膜的厚度；所述第一绝缘膜的厚度范围为0埃～500埃。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一绝缘膜的材料包括：氧化镁、氧化铝、二氧化铪或者二氧化锆。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一绝缘膜表面形成顶层电磁材料膜之前，进行退火处理，使所述前驱膜形成第二绝缘膜，所述第二绝缘膜位于所述第一绝缘膜底部；所述退火处理的温度范围为300摄氏度～400摄氏度。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底内具有导电层，且所述基底暴露出所述导电层表面；所述底层电磁材料膜位于所述基底表面和导电层表面。

14.如权利要求1或者13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述底层电磁材料膜包括：位于所述基底表面和导电层表面的下层电极膜、位于所述下层电极膜表面的下层复合膜、位于所述下层复合膜表面的下层电磁膜。