[发明专利]硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种硅基板蚀刻溶液，其特征在于，

包含：

磷酸水溶液；以及

由下述化学式1表示的硅添加剂，

化学式1：

其中，R₁至R₄各自独立地选自氢、C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₂环烷基、含有至少一个杂原子的C₂-C₁₀杂烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀卤烷基、C₁-C₁₀氨基烷基、芳基、杂芳基、芳烷基及羟基、氨基、卤素、砜、膦、磷、硫醇、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑，

R₁至R₄中的至少一个为杂芳基，

上述杂芳基具有N-氧化物基团，并且上述具有N-氧化物基团的杂芳基选自以下官能团：

在25℃及1bar下，上述硅添加剂在85％磷酸水溶液中的溶解度为100ppm以上。

2.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液中的上述硅添加剂的含量为100-10000ppm。

3.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液对由硅氧化膜形成的单层膜或同时包含硅氧化膜与硅氮化膜的多层膜进行蚀刻。

4.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液还包含选自氟化氢、氟化铵、双氟化铵及氟化氢铵中的至少一种含氟化合物。

5.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液还包含具有有机阳离子与氟类阴离子结合形态的含氟化合物。

6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括使用根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液来进行的蚀刻工序。