[发明专利]扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法及装置

权利要求书

1.局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法，所述温度补偿晶体振荡器(2)焊接在印制电路板(1)上并与印制电路板(1)上的芯片连接，其特征在于：所述印制电路板(1)上与温度补偿晶体振荡器(2)对应的另一面上焊接有与芯片连接的温度传感器(3)，所述温度补偿晶体振荡器(2)的局部电路上安装有用于将电能转换热能的发热件(4)，发热件(4)与芯片连接；

所述局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法包括如下步骤：

(A)温度传感器(3)检测所述温度补偿晶体振荡器(2)所在的环境温度；

(B)当步骤(A)中所述温度低于-40℃时调节发热件(4)加热温度补偿晶体振荡器(2)的局部电路，实现扩展所述温度补偿晶体振荡器(2)工作的低温范围，使其工作温度范围为-55℃～+85℃；

(C)在所述温度补偿晶体振荡器(2)、温度传感器(3)和发热件(4)外侧实施保温措施。

2.根据权利要求1所述的局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法，其特征在于：步骤(B)中所述发热件(4)是指将电能转换为热能的电子元件，所述电子元件包括电阻、陶瓷发热片、金属发热片、晶体管中的任意一种。

3.根据权利要求2所述的局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法，其特征在于：所述调节发热件(4)加热温度补偿晶体振荡器(2)的局部电路是指通过控制电子元件或机械开关调节发热件(4)加热温度补偿晶体振荡器(2)的局部电路。

4.根据权利要求1所述的局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法，其特征在于：步骤(C)中所述实施保温措施是指去除电路中的铜箔(6)、增加保温层(7)、安装保温罩(8)中一种或任意几种的组合。

5.局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现装置，所述温度补偿晶体振荡器(2)焊接在印制电路板(1)上并与印制电路板(1)上的芯片连接，其特征在于：所述印制电路板(1)上与温度补偿晶体振荡器(2)对应的另一面上焊接有与芯片连接的温度传感器(3)，所述温度补偿晶体振荡器(2)的局部电路上安装有用于将电能转换热能的发热件(4)，发热件(4)与芯片连接；在所述温度补偿晶体振荡器(2)、温度传感器(3)和发热件(4)外侧设置保温层(7)。

6.根据权利要求5所述的局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现装置，其特征在于：所述印制电路板(1)上开有多个导热孔(5)。

7.根据权利要求5所述的局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现装置，其特征在于：所述印制电路板(1)上非必要的铜箔(6)被去除。

8.根据权利要求5所述的局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现装置，其特征在于：所述保温层(7)外侧设置有保温罩(8)。