[发明专利]一种金刚线切割单晶硅片的倒金字塔结构制绒方法

权利要求书

1.一种金刚线切割单晶硅片的倒金字塔结构制绒方法，其特征在于：包括以下步骤；

S1、将金刚线切割单晶硅片浸入包括氢氟酸、双氧水、氟化钠和含银离子添加剂混合水溶液中，反应温度为40-45℃，反应时间为6-8min；

S2、将经过S1处理的金刚线切割单晶硅片经水洗60-75S后，浸入氨水含量为4-4.2％和双氧水含量为6-6.1％的混合溶液，常温下进行脱银清洗4-5min，且回收处理脱银溶液；

S3、然后将脱银后金刚线切割单晶硅片经80-90S水洗后，在氟氢化铵含量为2-2.2％，醋酸含量为0.9-1％，醋酸铵含量为0.5-0.55％和双氧水含量为25-28％的混合溶液中进行扩孔，且在50-55℃下反应180-185S，形成孔径均一的均匀绒面；

S4、之后将S3处理的金刚线切割单晶硅片依次进行水洗、碱洗、水洗、酸洗和水洗后得到制绒片，其中在25℃温度条件下，第一次清洗60-65S，第二次水洗60-70S，然后酸液后第三次清洗100-110S，最后硅片在90-95℃下烘干30-45min。

2.根据权利要求1所述的一种金刚线切割单晶硅片的倒金字塔结构制绒方法，其特征在于：所述步骤S1中添加剂的浓度为1-1.3％，所述添加剂包括硝酸银、聚乙二醇、甲醇、葡萄糖醛酸、烯烃基硅烷偶联剂、磷酸酯甜菜碱、聚羧酸和柠檬酸，所述混合溶液中氢氟酸含量为6-7％，所述双氧水含量为20-22％，所述银离子的含量为10-11mg/L，所述氟化钠的含量为1-2％。

3.根据权利要求1所述的一种金刚线切割单晶硅片的倒金字塔结构制绒方法，其特征在于：所述步骤S4中碱洗所用的碱液中氢氧化钠含量为1-1.3％，双氧水含量3-3.9％。

4.根据权利要求1所述的一种金刚线切割单晶硅片的倒金字塔结构制绒方法，其特征在于：所述步骤S4中酸洗所用的酸液中氢氟酸和盐酸体积比为1:1，最后水洗清洗100-110S。

5.根据权利要求1所述的一种金刚线切割单晶硅片的倒金字塔结构制绒方法，其特征在于：所述硅片的型号为金刚线切割单晶P型157硅片。

6.根据权利要求1所述的一种金刚线切割单晶硅片的倒金字塔结构制绒方法，其特征在于：所述步骤S2中脱银反应过程如下，

首先氨水/双氧水溶液与银颗粒反应后生成银的络合物溶液，反应方程式如下：

2Ag+H₂O₂+4NH₃H₂O→2Ag(NH₃)₂OH+4H₂O

其次，浓硝酸溶液与银颗粒反应生成硝酸银溶液，反应方程式如下：

Ag+HNO₃→AgNO₃+H₂↑

最后，饱和臭氧-硝酸溶液与银颗粒反应最终生成硝酸银溶液，反应方程式如下：

2Ag+O₃+2HNO₃→2AgNO₃+O₂↑+H₂O。

7.根据权利要求1所述的一种金刚线切割单晶硅片的倒金字塔结构制绒方法，其特征在于：所述步骤S2中脱银溶液回收过程中，酸化处理使用氢氟酸、硝酸、氟化盐中的一种或几种调节循环液的酸碱度。