[发明专利]一种MTM反熔丝FPGA的编程方法

权利要求书

1.一种MTM反熔丝FPGA的编程方法，包括：

编程器与FPGA电路成功连接；编程器根据FPGA电路的硬ID选择适当的编程方法并对FPGA电路空片检查；编程器的上位机加载要对FPGA电路进行编程的坐标和对应的数据；编程器根据加载的坐标和数据进行寻址编程，

其特征在于，所述MTM反熔丝FPGA的编程方法还包括：

对于每一个反熔丝的编程，先施加正向编程脉冲，然后再施加反向编程脉冲；其中，

对选定编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前，对布线轨线进行预充电；

对选定编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之后，给编程中的反熔丝热弛豫时间；

编程阶段完成后，进行编程后电流校验；

电流校验成功，对该反熔丝再施加N组强化编程脉冲，N5。

2.如权利要求1所述的MTM反熔丝FPGA的编程方法，其特征在于，对选定编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前，对布线轨线进行预充电包括：

在对选定编程的反熔丝施加编程脉冲之前，对布线轨线进行预充电，使与选定编程的反熔丝处于同一行和同一列的其他所有反熔丝的上下电极都充上电压。

3.如权利要求1所述的MTM反熔丝FPGA的编程方法，其特征在于，编程后电流校验包括正向电流校验阶段和反向电流校验阶段；

在进行正向电流校验阶段和反向电流校验阶段前，均给编程中的反熔丝热弛豫时间。

4.如权利要求1所述的MTM反熔丝FPGA的编程方法，其特征在于，所述正向编程脉冲的电压比所述反向编程脉冲的电压大0.8V~1.2V。

5.如权利要求1所述的MTM反熔丝FPGA的编程方法，其特征在于，所述正向编程脉冲的电压为9.5V~10.5V，所述反向编程脉冲的电压为7.5V~8.5V。

6.如权利要求1所述的MTM反熔丝FPGA的编程方法，其特征在于，所述热弛豫时间为100us~200us。

7.如权利要求1所述的MTM反熔丝FPGA的编程方法，其特征在于，编程阶段完成后，进行编程后电流校验；若电流校验成功，进行强化编程阶段，否则返回编程阶段继续施加编程脉冲。

8.如权利要求7所述的MTM反熔丝FPGA的编程方法，其特征在于，所述强化编程阶段的脉冲时间与编程阶段一致，强化编程脉冲的脉冲幅度为编程阶段的70%~100%。