[发明专利]一种基于Ga2 在审
| 申请号： | 201911271820.3 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN112968054A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 戴贻钧;郭炜;陈荔;叶继春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/267;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人： | 张鸿飞 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ga base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种基于Ga2O3/GaN异质结的HEMT器件，其特征在于，它包括衬底（1），缓冲层（2），沟道层（3），以及势垒层（4），沟道层（3）顶端具有2DEG（5），还设有源极（6），漏极（8）和栅极（7）；其中所述沟道层（3）由GaN构成，势垒层（4）由Ga2O3构成，2DEG（5）在异质结界面靠近GaN一侧。
2.根据权利要求1所述的基于Ga2O3/GaN异质结的HEMT器件，其特征在于，所述衬底（1）为硅、蓝宝石、碳化硅中的一种。
3.根据权利要求1所述的基于Ga2O3/GaN异质结的HEMT器件，其特征在于，所述沟道层（3）GaN的生长方法为MOCVD、MBE中的一种。
4.根据权利要求1所述的基于Ga2O3/GaN异质结的HEMT器件，其特征在于，所述势垒层（4）Ga2O3的生长方法为MOCVD，MBE，磁控溅射，电子束蒸镀，PLD中的一种。
5.根据权利要求1所述的基于Ga2O3/GaN异质结的HEMT器件，其特征在于，所述GaN厚度为10nm-3μm。
6. 根据权利要求1所述的基于Ga2O3/GaN异质结的HEMT器件，其特征在于，所述Ga2O3厚度为10- 500 nm。
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