[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括显示区和非显示区，所述非显示区具有邦定区和扇出区，所述扇出区设于显示区和邦定区之间，还包括薄膜晶体管结构层，包括栅极层和源漏电极层，栅极层和源漏电极层的材料包括钛、铝、钛铝合金中的至少一种。本发明的有益效果在于本发明的阵列基板及其制备方法，阵列基板上栅极层和源漏电极层采用同一种材料如铝、钛、钛铝合金等低电阻、耐弯折金属，提高了金属走线的电导率和弯折特性，在阵列基板的邦定区中，栅极层设于有机层的下方，离中性面更近，降低了邦定区断线的风险。利用栅极层作为掩膜板进行无机膜层图案化，节约了成本同时解决了金属走线在蚀刻后的柔性基板上粘附较差的问题。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode)由于其重量轻，自发光，广视角、驱动电压低、发光效率高功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛，尤其是柔性OLED显示装置具有可弯折易携带的特点，成为显示技术领域研究和开发的主要领域。目前高端手机对亮度均一性要求较高，如何提升屏幕的亮度均一性是各大厂商开发的重点方向。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板及其制备方法，用以解决现有技术中屏幕的亮度均一性无法提升的技术问题。

解决上述技术问题的技术方案是：一种阵列基板，所述阵列基板包括显示区、围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区具有邦定区和位于所述邦定区和显示区之间的扇出区，所述扇出区设于所述显示区和所述邦定区之间，还包括薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括栅极层和源漏电极层，所述栅极层和所述源漏电极层的材料包括钛、铝、钛铝合金中的至少一种。

进一步的，所述薄膜晶体管结构层包括基板，从所述显示区延伸至所述非显示区；阻隔层，设于所述基板上且从所述显示区延伸至所述非显示区；缓冲层，设于所述阻隔层上且从所述显示区延伸至所述非显示区；有源层，设于所述显示区的缓冲层上；第一绝缘层，设于所述缓冲层上且覆盖所述有源层并延伸至所述非显示区；所述栅极层包括第一栅极层和第二栅极层；所述第一栅极层设于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，设于所述第一绝缘层上且覆盖所述第一栅极层并延伸至所述非显示区；所述第二栅极层设于所述第二绝缘层上；第三绝缘层，设于所述第二绝缘层上且覆盖所述第二栅极层并延伸至所述非显示区；所述源漏电极层包括第一源漏电极层设于所述显示区的所述第三绝缘层上且贯穿所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层连接至所述有源层；第二源漏电极层，设于所述扇出区的所述第三绝缘层上且贯穿所述第三绝缘层和所述第二绝缘层与所述第一栅极层和所述第二栅极层连接；开孔，设于所述邦定区中，所述开孔贯穿所述第三绝缘层、第二绝缘层、第一绝缘层、所述缓冲层和部分所述阻隔层；平坦层，设于所述第三绝缘层上且覆盖所述源漏电极层并延伸至所述非显示区。

进一步的，所述第一栅极层包括第一金属段，设于所述显示区中且对应所述有源层；第二金属段，设于所述扇出区中的所述第一绝缘层上；第三金属段，设于所述邦定区中且自所述第一绝缘层延伸至所述开孔内壁。

进一步的，所述第二栅极层包括第四金属段，设于所述显示区中且对应所述有源层；第五金属段，设于所述扇出区中的所述第二绝缘层上；第六金属段，设于所述邦定区中且自所述第二绝缘层延伸至所述开孔内壁。

本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区、围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区具有邦定区和位于所述邦定区和显示区之间的扇出区，所述扇出区设于所述显示区和所述邦定区之间，还包括

S1)形成薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括栅极层和源漏电极层，所述栅极层和所述源漏电极层的材料包括钛、铝、钛铝合金中的至少一种。

进一步的，在所述步骤S1)中，所述薄膜晶体管结构层的具体制备步骤包括

S101)提供一基板；