[发明专利]一种上电电路及电荷泵电路有效
申请号: | 201911273509.2 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN110932704B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 宋璧若;刘飞;霍宗亮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H03K17/16 | 分类号: | H03K17/16;H02M3/07 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张雪娇 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电路 电荷 | ||
1.一种上电电路,其特征在于,用于辅助目标电路上电,所述目标电路接收工作电压,输出目标电压,所述上电电路包括:电压检测电路、锁存器和电压传输电路;其中,
所述电压检测电路包括N级串接的反相器,N为大于或等于3的奇数;
所述锁存器串接于相邻两级所述反相器之间,所述电压传输电路的输入端接于最后一级所述反相器的输出端,所述电压传输电路的输出端与所述目标电路的输入端连接;
所述工作电压同时为所述电压检测电路和所述电压传输电路供电;
所述电压检测电路用于在接收到使能信号时,检测所述目标电压,在当所述目标电压为低电平时,向所述电压传输电路提供第一信号,以使所述电压传输电路将所述工作电压直接提供给所述目标电路的输入端;在当所述目标电压为高电平时,向所述电压传输电路提供第二信号,以使所述电压传输电路关断;
所述锁存器,用于在当所述电压检测电路接收到所述使能信号,且所述目标电压为高电平时,锁存所述锁存器的输出电平。
2.根据权利要求1所述的上电电路,其特征在于,所述电压检测电路包括:第一级反相器、第二级反相器和第三级反相器;其中,
所述第一级反相器的输入端用于接收所述使能信号,所述第一级反相器的电压输入端用于接收所述工作电压,所述第一级反相器的输出端与所述第二级反相器的输入端连接;
所述第二级反相器的电压输入端用于接收所述目标电压,所述第二级反相器的输出端与所述锁存器的输入端连接;
所述锁存器的输出端与所述第三级反相器的输入端连接,所述第三级反相器的输出端与所述电压传输电路的输入端连接。
3.根据权利要求2所述的上电电路,其特征在于,所述第二级反相器包括:第一晶体管和第二晶体管;其中,
所述第一晶体管的源极用于接收所述目标电压,所述第二晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极连接,作为所述第二级反相器的输入端;
所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极连接,作为所述第二级反相器的输出端;所述第二晶体管的漏极接固定电平;
所述第一晶体管为P型MOS管,所述第二晶体管为N型MOS管。
4.根据权利要求1所述的上电电路,其特征在于,所述锁存器包括:第一子反相器和第二子反相器;其中,
所述第一子反相器的输入端和第二子反相器的输出端连接,作为所述锁存器的输入端;
所述第一子反相器的输出端与所述第二子反相器的输入端连接,作为所述锁存器的输出端。
5.根据权利要求1所述的上电电路,其特征在于,所述电压传输电路由多个串接的P型MOS管构成。
6.根据权利要求5所述的上电电路,其特征在于,所述电压传输电路包括第三晶体管和第四晶体管;其中,
所述第三晶体管的源极用于接收所述工作电压,所述第三晶体管的栅极作为所述电压传输电路的输入端;
所述第三晶体管的漏极与所述第四晶体管的漏极连接,所述第四晶体管的源极作为所述电压传输电路的输出端;
所述第三晶体管和第四晶体管均为P型MOS管。
7.根据权利要求6所述的上电电路,其特征在于,还包括:放电电路;
所述放电电路的输入端与所述电压传输电路的浮空节点连接,用于在当所述电压传输电路关断时,将所述浮空节点的电压泄放到地。
8.根据权利要求7所述的上电电路,其特征在于,所述放电电路为第五晶体管;
所述第五晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极连接,所述第五晶体管的漏极与所述第三晶体管的漏极连接;
所述第五晶体管的源极接地;
所述第五晶体管为N型MOS管。
9.一种电荷泵电路,其特征在于,包括:电荷泵、线性稳压器和如权利要求1-8任一项所述的上电电路。
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