[发明专利]一种芯片引线框架材料用高纯Cu-Al-Ag合金及其制备方法

权利要求书

1.一种芯片引线框架材料用高纯Cu-Al-Ag合金的制备方法，包括：

将铜粉、铝粉和银粉混合球磨得到混合粉体；所述铜粉、铝粉和银粉的质量比为99：（1~X）：X；其中X为0.4~1；所述铜粉为电化学法制备，粒径为4~6μm，纯度为99.9999%；铝粉为高能球磨法制备，粒径为4~6μm，纯度为99.9995%；银粉为液相化学还原法制备，粒径为1~2μm，纯度为99.99%；

将混合粉体冷等压成型，得到Cu-Al-Ag合金毛坯；所述冷等压成型的成型压力为20~40MPa，保压时间为30~90s；成型温度为25~100℃；

将所述Cu-Al-Ag合金毛坯放电等离子烧结，得到Cu-Al-Ag合金材料；所述放电等离子烧结具体为：施加轴向压力，真空烧结，冷却；所述轴向压力为150~200MPa；所述烧结总气压低于5Pa；所述烧结温度的升温速度为10~20℃/min；烧结温度为600~800℃；保温时间为30~60min。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述球磨具体为：磨球为ZrO₂成分，直径φ为1~10mm，磨球与铜粉、铝粉和银粉混合粉的质量比为10~20:1，球磨机转速为300~1000r/min，球磨时间为6~8h。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述磨球中：直径φ=5mm的磨球质量占55~65%，φ=1mm的磨球质量占5~15%，φ=2mm的磨球质量占5~15%，φ=10mm的磨球质量占15~25%。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述球磨后混合粉体的粒径为4~8μm。

5.一种芯片引线框架材料用高纯Cu-Al-Ag合金，其特征在于，由权利要求1~4任意一项所述的制备方法制备得到。

6.一种芯片引线框架，其特征在于，包括权利要求5所述的芯片引线框架材料用高纯Cu-Al-Ag合金。