[发明专利]用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法

说明书

本发明涉及一种利用等离子体及气体的用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法，更具体而言，涉及一种包括从形成有通道的电极去除形成在电极上的氧化膜的步骤、及对去除氧化膜的所述电极执行蚀刻制程的步骤的用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法。

技术领域

本发明涉及一种利用等离子体及气体去除形成在电极上的氧化膜，通过蚀刻制程对电极受损的部分进行处理的方法。

背景技术

通过在基板表面上形成复杂地图案化而成的物质层的制程来制造集成电路。为了在基板上形成经图案化的物质，需要去除物质的控制制程。作为这种制程，有利用化学反应(溶液)的湿式蚀刻(wet etching)方法与利用化学反应(气体)的干式蚀刻(dry etching)方法等。

另一方面，湿式蚀刻包括将光阻图案转印到具备在下部的层、将层薄膜化或使已存在于表面的特征的横向尺寸变薄，因此用于各种目的。

然而，湿式蚀刻存在如下等较大的问题：微小图案的纵横比增加而无法均匀地蚀刻表面，且图案塌陷。并且，在微小图案中，因湿式蚀刻制程的极限与低选择比而干式蚀刻备受关注。

干式蚀刻有气相蚀刻与利用反应性气体的等离子体状态进行蚀刻的等离子体蚀刻，这种干式蚀刻中的等离子体蚀刻可仅对所期望的部分进行蚀刻，故而具有准确性良好且可进行微细图案化的优点。

然而，在进行等离子体蚀刻制程时存在如下问题：等离子体能量会在蚀刻基板时使表面变粗糙，或者因等离子体活化的元素吸附或渗透到基板表面而产生缺陷。

另外，在利用等离子体制程对具有高纵横比的构造使用蚀刻制程的情况下，存在如下问题：例如，在用以打开栅极电极的沟槽制程中，因进行等离子体制程时使用的气体而电极氧化，从而元件的性能下降。

作为与此相关的现有文献，在韩国注册专利编号第10-0525119号(公开日：2001.05.15.)中揭示有栅极电极形成方法，且揭示有为了去除形成在钨的氧化膜而在氢气环境中进行热处理的制程，但存在无法应用于高纵横比的通道、沟槽及孔的问题。

发明内容

[发明欲解决的课题]

因此，本发明提供一种不仅解决在具有高纵横比的构造中因形成在电极上的氧化膜引起的问题，而且可从电极去除受损的部分的电极处理方法。

[解决课题的手段]

为了解决上述课题，本发明提供一种用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法，其包括：从形成有通道的电极去除形成在电极上的氧化膜的步骤；以及去除氧化膜的所述电极执行蚀刻制程的步骤。

此时，所述用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法的特征在于：在同一腔室或集群(cluster)系统中执行所述氧化膜去除制程及蚀刻制程。

所述用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法的特征在于：在真空及非氧化环境中执行所述氧化膜去除制程及蚀刻制程。

所述用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法的特征在于：所述电极由选自由钨、钛、多晶硅及铝所组成的族群中的一种以上形成。

所述用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法的特征在于：利用H₂/Ar气体执行所述氧化膜的去除，所述H₂/Ar气体中的H₂相对于Ar的流量比(H₂/Ar)为0.01至0.1。

所述用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法的特征在于：利用通过射频(Radio Frequency，RF)功率产生的等离子体及气体执行所述氧化膜的去除。

所述用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法的特征在于：在去除所述氧化膜时施加的RF功率为0.5kW至5.0kW。