[发明专利]抑制电流变化速率装置及变流器系统在审
| 申请号： | 201911274405.3 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN112994417A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 赵晨凯;俞晓丽;王翠云;梁海刚;王亮亮;李艳伟 | 申请（专利权）人： | 中车永济电机有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张子青;刘芳 |
| 地址： | 044502 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抑制 电流 变化 速率 装置 变流器 系统 | ||
1.一种抑制电流变化速率装置，其特征在于，包括：
稳压二极管以及功率半导体器件；
所述功率半导体器件包括集电极、门极、功率发射极以及辅助发射极，所述辅助发射极与所述功率发射极之间串联有寄生电感；
所述稳压二极管串联于所述功率半导体器件的门极以及所述功率发射极之间，其中，所述稳压二极管的正极与所述功率发射极的端口连接，所述稳压二极管的负极与所述门极的端口连接；
当所述功率半导体器件开通时，所述稳压二极管的输出电压为所述门极的端口与所述功率发射极的端口之间的电压，以使所述功率半导体器件的门极驱动电压在预设时间内降低。
2.根据权利要求1所述的抑制电流变化速率装置，其特征在于，根据所述电流变化速率以及所述寄生电感确定所述稳压二极管的输出电压。
3.根据权利要求1所述的抑制电流变化速率装置，其特征在于，所述功率半导体的门极驱动电压为+15V。
4.根据权利要求3所述的抑制电流变化速率装置，其特征在于，所述电流变化速率为4000A/μs。
5.根据权利要求4所述的抑制电流变化速率装置，其特征在于，所述稳压二极管为单向瞬态抑制电流变化速率二极管。
6.根据权利要求5所述的抑制电流变化速率装置，其特征在于，所述单向瞬态抑制电流变化速率二极管的最大反向工作电压为24V或26V。
7.根据权利要求6所述的抑制电流变化速率装置，其特征在于，所述功率半导体器件的电压等级为1700V、3300V、4500V以及6500V中的一种。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的抑制电流变化速率装置，其特征在于，所述功率半导体器件，包括：
碳化硅场效应晶体管SiC-MOSFET或硅绝缘栅双极型晶体管Si-IGBT。
9.根据权利要求8所述的抑制电流变化速率装置，其特征在于，所述装置应用于数字驱动电路和/或模拟驱动电路。
10.一种变流器系统，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的抑制电流变化速率装置。
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