[发明专利]近内存计算系统及非挥发性内存单元

权利要求书

1.一种非挥发性内存单元，其特征在于，包括：

存储晶体管，具有第一端，第二端，及栅极端；

其中在写入操作期间：

所述存储晶体管的所述第一端接收对应于欲储存至所述非挥发性内存单元的权重值的数据电压；

所述存储晶体管的所述第二端处于浮接状态；

所述存储晶体管的所述栅极耦合至写入电压；及

所述写入电压大于所述数据电压；

其中在读取操作期间：

所述存储晶体管的所述第一端接收读取电压；

所述存储晶体管的所述栅极端耦合至偏压；及

所述存储晶体管的所述第二端输出权重电压；

其中所述写入电压大于所述读取电压，且所述读取电压大于所述偏压。

2.如权利要求1所述的非挥发性内存单元，其特征在于：

所述存储晶体管具有堆栈式栅极结构，且所述存储晶体管的所述栅极端耦接至控制线。

3.如权利要求2所述的非挥发性内存单元，其特征在于，另包括：

第一选择晶体管，具有耦接于所述存储晶体管的所述第二端的第一端，第二端，及耦接于字符线的控制端；

其中在所述写入操作期间，所述字符线是在小于所述写入电压的参考电压，且所述第一选择晶体管被截止。

4.如权利要求3所述的非挥发性内存单元，其特征在于所述存储晶体管的所述第一端耦接于位线。

5.一种非挥发性内存单元，其特征在于，包括：

存储晶体管，具有第一端，第二端，及栅极端；及

第一选择晶体管，具有耦接于所述存储晶体管的所述第二端的第一端，

第二端，及耦接于字符线的控制端；

其中在写入操作期间：

所述存储晶体管的所述第一端接收对应于欲储存至所述非挥发性内存单元的权重值的数据电压；

所述存储晶体管的所述第二端处于浮接状态；

所述存储晶体管的所述栅极耦合至写入电压；

所述写入电压大于所述数据电压；及

所述字符线是在小于所述写入电压的参考电压，且所述第一选择晶体管被截止；

其中所述存储晶体管具有堆栈式栅极结构，且所述存储晶体管的所述栅极端耦接至控制线；

其中所述存储晶体管的所述第一端耦接于位线；

其中所述存储晶体管及所述第一选择晶体管是设置在N型深井中的P型

井中；

其中在清除操作期间：

所述字符线、所述位线、所述N型深井及所述P型井是在第一清除电压；及

所述控制线是在第二清除电压；

其中所述写入电压大于所述第一清除电压，所述第一清除电压大于所述参考电压，且所述参考电压大于所述第二清除电压。

6.一种近内存计算系统，其特征在于，包括：

多个计算节点，每一计算节点包括：

多个非挥发性内存单元，每一非挥发性内存单元包括存储晶体管，

具有第一端，第二端，及栅极端；及

处理单元，耦接于所述多个非挥发性内存单元中多个存储晶体管的多个第二端，及用以对自所述多个非挥发性内存单元中平行输出的多个权重电压所代表的数据进行运算；

其中在写入操作期间：

所述多个存储晶体管的多个第一端接收对应于欲储存至所述多个非挥发性内存单元的多个权重值的多个数据电压；

所述多个存储晶体管的所述多个第二端处于浮接状态；

所述多个存储晶体管的多个栅极端耦合至写入电压；及

所述写入电压大于所述数据电压。

7.如权利要求6所述的近内存计算系统，其特征在于在读取操作期间：

所述多个存储晶体管的所述多个第一端接收读取电压；

所述多个存储晶体管的所述多个栅极端耦合至偏压；及

所述多个存储晶体管的所述多个第二端输出所述多个权重电压；

其中所述写入电压大于所述读取电压，且所述读取电压大于所述偏压。