[发明专利]一种新型级联柔性太阳电池光电器件及其制备方法在审
申请号: | 201911276406.1 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN112993071A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 刘生忠;段连杰;王辉;曹越先;杜敏永;王开;孙友名;焦玉骁;王立坤;姜箫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0445;H01L31/18 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 郑伟健 |
地址: | 116023 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 级联 柔性 太阳电池 光电 器件 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种新型级联柔性太阳电池光电器件及其制备方法,将聚合物(EVA)/沉积太阳电池的柔性衬底(不锈钢)/导电双面胶/电极引线(镀银铜带)/聚合物(EVA)进行集成。本发明中的新型级联技术主要优势在于采用物理连接进行级联,通过导电胶直接将电极引线和不锈钢导通,该技术有效降低了太阳电池中的电阻损失,从而能够获得较高的转换效率。相比于选用传统的焊接技术作为级联方法,非焊接技术不会对太阳电池造成损伤,保证太阳电池组件的可靠性。同时,使多个太阳电池连接安装更加快速简便。
技术领域
本发明属于太阳能光伏技术领域,涉及一种新型级联柔性太阳电池的设计方法。
背景技术
由于全球能源需求量持续增加,能源和环境危机日益突出。太阳能被公认是一种清洁、安全以及可持续的能源,因而作为直接将光能转换为电能的太阳电池技术迎来了巨大的发展契机。也正是因为太阳能可以源源不断的提供能量,使其在能源领域具有非常重要的研究价值。太阳电池应用广泛,在日常生活、高新技术、特殊应用等各个领域都显现出广泛的应用前景。
相比于晶体硅太阳电池,薄膜太阳电池所需原材料更少,能耗更低,成本更低。薄膜太阳电池可制备在金属箔和塑料衬底上,形成柔性太阳电池。柔性太阳电池具有重量轻、可弯曲、便于携带和运输、耐损伤等优点,可应用在卫星、飞艇、无人机、单兵装备等国防军工领域,以及光伏建筑一体化、可穿戴智能设备等民用领域,具有广阔的市场前景。
目前常见的级联连接方法为焊接法,但是焊接过程中的局部高温会对太阳电池造成损伤,特别是在临近空间情况下,容易发生开焊现象,无法保证太阳能组件的可靠性。
发明内容
本发明的目的,为了解决现有技术的不足之处,本发明旨在提供一种通过物理连接的新型级联柔性太阳电池的设计方法,该方法较为简便,降低在级联过程中对太阳电池的损伤,保证太阳电池组件的可靠性。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种通过物理连接的新型级联柔性太阳电池的设计方法。所诉器件包含电极引线、导电双面胶、沉积太阳电池柔性衬底层、以及用来层压的聚合物层。
所述的电极引线选用导电性能较好的材料包含但不局限于金、银、铜、镍、铝及碳等中的一种或一种以上。所述的沉积太阳电池的柔性衬底层包含但不局限于不锈钢、聚酰亚胺薄膜、热塑性聚酯等。所述的可层压聚合物包含但是不限于乙烯-醋酸乙烯共聚物。
本发明的有益效果:本发明提供一种通过物理连接的新型级联柔性太阳电池的设计方法。传统的级联技术主要是采用焊接法,在焊接过程中由于温度过高会对太阳电池造成一定损伤。而通过物理连接的新型级联方式不会对太阳电池造成损伤。新型级联方式简便、快速,改善电池与电极引线的接触电阻,保证了电池的可靠性。
附图说明
图1是实施例1中通过物理连接的新型级联柔性太阳电池示意图。级联太阳电池具体结构为聚合物(EVA)/电极引线(镀银铜带)/导电双面胶/沉积太阳电池的柔性衬底(不锈钢)/聚合物(EVA)
图2是实施例2中结构为聚合物(EVA)/沉积太阳电池的柔性衬底(不锈钢)/两段不连续双面胶/电极引线(镀银铜带)/聚合物(EVA)级联太阳电池示意图。
图3是实施例3中结构为聚合物(EVA)/沉积太阳电池的柔性衬底(不锈钢)/两段不连续双面胶/电极引线(镀银铜带)/单面胶/聚合物(EVA)级联太阳电池示意图。
图4是实施例4中结构为聚合物(EVA)/沉积太阳电池的柔性衬底(不锈钢)/两段不连续双面胶/导电银线(平行)/电极引线/单面胶/聚合物(EVA)级联太阳电池示意图。
图5是实施例5中聚合物(EVA)/沉积太阳电池的柔性衬底(不锈钢)/两段不连续双面胶/导电银线(垂直)/电极引线/单面胶/聚合物(EVA)级联太阳电池示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的