[发明专利]一种铝元素促进的无序介孔二氧化硅负载的钴基催化剂及其制备与应用在审
| 申请号： | 201911276617.5 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN112973694A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘岳峰;蒋倩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | B01J23/75 | 分类号： | B01J23/75;B01J35/10;B01J37/02;C10G2/00 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 毛薇;李馨 |
| 地址： | 116000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 元素 促进 无序 二氧化硅 负载 催化剂 及其 制备 应用 | ||
1.一种钴基费托合成催化剂的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)采用一锅法原位合成铝改性的无序介孔二氧化硅；
(2)然后采用浸渍法在所述铝改性的无序介孔二氧化硅上负载金属钴，干燥、焙烧，得到所述钴基费托合成催化剂。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述钴基费托合成催化剂中，Al的重量百分含量为0.01-5wt％，Co的重量百分含量为10-30wt％。
3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一锅法原位合成铝改性的无序介孔二氧化硅的具体步骤为：首先溶解Al的前驱体，然后加入Si的前驱体，20-40℃下搅拌20-40分钟后加入模板剂，继续搅拌20-40分钟后加入造孔剂，于20-40℃下搅拌48h后，干燥，水热处理，焙烧，得到所述铝改性的无序介孔二氧化硅；所述铝源：硅源：模板剂：造孔剂的摩尔比为0.3％-4％:1:1:0.3。
4.按照权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的Al盐的前驱体为硫酸铝、异丙醇铝、硝酸铝、氯酸铝。
5.按照权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的Si的前驱体为正硅酸乙酯、偏硅酸钠、硅溶胶。
6.按照权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的模板剂为三乙醇胺(TEA)、四乙二醇(TEG)、二乙醇胺；所述造孔剂为四乙基氢氧化铵(TEAOH)和四丙基氢氧化铵(TPAOH)中的一种。
7.按照权利要求3所述的方法，其特征在于，干燥温度为70-120℃，时间为2-24h；水热处理温度为120-180℃，时间为2-15h；焙烧温度为600-800℃，时间为4-12h。
8.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述的干燥温度为70-120℃，时间为4-48h；焙烧温度为300-450℃，时间为2-24h。
9.一种权利要求1-8任一所述的方法制备的钴基费托合成催化剂。
10.如权利要求9所述的钴基费托催化剂，其特征在于，所述钴基费托催化剂比表面积为300-800m2/g，孔径为3-10nm，孔容为0.5-1.5cm3/g；钴粒子的颗粒尺寸为3-15nm。
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