[发明专利]转移微型元件的方法在审
| 申请号： | 201911276746.4 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN112216626A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 陈立宜 | 申请（专利权）人： | 美科米尚技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张琳 |
| 地址： | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 转移 微型 元件 方法 | ||
1.一种转移微型元件的方法，其特征在于，包含：
将具有所述微型元件于其上的转移板对准具有接触垫于其上的接收基板，使得所述微型元件在所述接触垫的上方或与所述接触垫接触；
将具有所述微型元件于其上的所述转移板和所述接收基板的组合移入限制空间，所述限制空间的相对湿度大于或等于约85％，从而凝结一些水位于所述微型元件和所述接触垫之间；以及
将所述微型元件黏附至所述接触垫。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述微型元件黏附至所述接触垫包含：
将所述组合从所述限制空间移出至相对湿度小于约80％的环境，使得所述水蒸发，且所述微型元件黏附固定至所述接触垫并与所述接触垫接触。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述微型元件黏附至所述接触垫更包含：
施加外部压力以在蒸发所述水期间压紧所述微型元件和所述接触垫。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述微型元件黏附至所述接触垫包含：
增加所述限制空间内的温度，使得所述水蒸发且所述微型元件黏附固定至所述接触垫。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述限制空间内的温度增加至一温度点，使得所述相对湿度小于约80％。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，将所述微型元件黏附至所述接触垫更包含：
施加外部压力以在蒸发所述水期间压紧所述微型元件和所述接触垫。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述微型元件黏附至所述接触垫包含：
施加外部压力以压紧所述微型元件和所述接触垫。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述微型元件面向所述接触垫的表面和所述接触垫面向所述微型元件的表面当中的一者为亲水性的。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述限制空间由腔体构成。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，更包含：
在将具有所述微型元件于其上的所述转移板和所述接收基板的所述组合移入所述限制空间之后喷洒蒸气至所述组合上，使得至少一部分的所述蒸气凝结以形成所述水。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述蒸气的水蒸气压高于所述限制空间内的水蒸气压。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述蒸气主要包含氮和水。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，更包含：
在将具有所述微型元件于其上的所述转移板和所述接收基板的所述组合移入所述限制空间之后降低位于包含蒸气的所述限制空间内的所述组合的温度，使得至少一部分的所述蒸气凝结以形成所述水。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
