[发明专利]一种微细间距铜柱晶圆级封装结构及可靠性优化方法

权利要求书

1.一种微细间距铜柱晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

印刷电路板；

焊盘，设于所述印刷电路板上；

焊点，设于所述焊盘上；

铜柱，设于所述焊点上；

重分布层，设于所述铜柱上；

钝化层，设于所述重分布层上；

低介电常数层，设于所述钝化层上；

芯片，设于所述低介电常数层上；

所述印刷电路板的厚度为300μm，所述焊盘的厚度为3μm，所述焊点的高度为40μm，所述焊点的材料选自95.7Sn3.8Ag0.5Cu，所述铜柱的高度为40μm，所述低介电常数层厚度为9μm，所述芯片的厚度为300μm。

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，还包括包围所述焊盘、焊点以及部分铜柱的第一覆盖层，以及包围剩余部分铜柱和重分布层的第二覆盖层，所述第一覆盖层设于所述印刷电路板上，所述第二覆盖层设于所述第一覆盖层与所述低介电常数层之间。

3.根据权利要求2所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一覆盖层为环氧树脂层，所述第二覆盖层为聚合物层。

4.根据权利要求3所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述焊点为叠层焊点。