[发明专利]一种探针式薄膜热电偶及其制备方法

权利要求书

1.一种探针式薄膜热电偶，其特征在于，包括柱状基底(1)、钨铼26薄膜区(2)及氧化铟薄膜区(3)，柱状基底(1)的侧面开设有第一直槽及第二直槽，其中，钨铼26薄膜区(2)分布于柱状基底(1)的前端面上及第一直槽内，氧化铟薄膜区(3)分布于柱状基底(1)的前端面及第二直槽内，且位于柱状基底(1)前端面的氧化铟薄膜区(3)与钨铼26薄膜区(2)相连接，第一金属引线(4)与钨铼26薄膜区(2)相连接，第二金属引线与氧化铟薄膜区(3)相连接。

2.根据权利要求1所述的探针式薄膜热电偶，其特征在于，氧化铟薄膜区(3)及钨铼26薄膜区(2)的表面均设置有保护层，其中，所述保护层包括自上到下依次分布的第一氧化铝层、SIC层及第二氧化铝层。

3.根据权利要求1所述的探针式薄膜热电偶，其特征在于，位于柱状基底(1)端部的钨铼26薄膜区(2)及氧化铟薄膜区(3)组成环状并联式结构。

4.根据权利要求1所述的探针式薄膜热电偶，其特征在于，第一金属引线(4)与钨铼26薄膜区(2)的连接位置位于第一直槽内，第二金属引线与氧化铟薄膜区(3)的连接位置位于第二直槽内。

5.根据权利要求1所述的探针式薄膜热电偶，其特征在于，第一金属引线(4)与钨铼26薄膜区(2)通过高温导电银胶相连接，第二金属引线与氧化铟薄膜区(3)通过高温导电银胶相连接。

6.根据权利要求1所述的探针式薄膜热电偶，其特征在于，柱状基底(1)为柱状陶瓷基底或者柱状SIC基底。

7.根据权利要求1所述的探针式薄膜热电偶，其特征在于，柱状基底(1)后端的侧面设置有外螺纹(5)。

8.一种权利要求2所述探针式薄膜热电偶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将柱状基底(1)进行清洗后烘干；

2)在柱状基底(1)的侧面上涂覆第一遮蔽层，再进行烘干；

3)在柱状基底(1)的端面上贴第一掩膜版，再采用磁控溅射的方法在柱状基底(1)上制备氧化铟薄膜区(3)，然后进行去胶处理，清洗后烘干；

4)将步骤3)得到的器件在有氧及1000℃的环境下进行2h退火处理，以提高氧化铟组织致密度和载流子浓度；

5)将柱状基底(1)进行清洗后烘干；

6)在柱状基底(1)的侧面上涂覆第二遮蔽层，再进行烘干；

7)在柱状基底(1)的端面上贴第二掩膜版，再采用磁控溅射的方法在柱状基底(1)上制备钨铼26薄膜区(2)，然后进行去胶处理，清洗后烘干；

8)采用磁控溅射的方法在钨铼26薄膜区(2)及氧化铟薄膜区(3)表面制备保护层，然后进行热处理，以消除钨铼26薄膜区(2)与保护层的内应力；

9)将第一金属引线(4)与钨铼26薄膜区(2)相连接，将第二金属引线与氧化铟薄膜区(3)相连接，得探针式薄膜热电偶。