[发明专利]一种各向异性器件及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种各向异性器件，其特征在于，包括基体层、依次层叠在所述基体层上的隔离层和二维纳米薄膜层，所述二维纳米薄膜层覆盖部分隔离层，还包括中央源电极/中央漏电极及若干周围漏电极/周围源电极；

所述中央源电极/中央漏电极设于所述二维纳米薄膜层的中部，所述若干周围漏电极/周围源电极沿所述中央源电极/中央漏电极的周向设于所述隔离层上，且所述若干周围漏电极/周围源电极朝向二维纳米薄膜层延伸至接触二维纳米薄膜层；

所述二维纳米薄膜层为具有各向异性的二维纳米薄膜层。

2.如权利要求1所述的各向异性器件，其特征在于，所述二维纳米薄膜层的材质包括二硫化铼、二硒化铼、黑磷、黑砷磷和β相硒化铟中的至少一种。

3.如权利要求2所述的各向异性器件，其特征在于，所述二维纳米薄膜层的材质为β相硒化铟。

4.如权利要求1所述的各向异性器件，其特征在于，所述二维纳米薄膜层设置成圆盘状，所述中央源电极/中央漏电极设于所述二维纳米薄膜层的圆心处，所述若干周围漏电极/周围源电极沿二维纳米薄膜层的外周缘呈圆周阵列排布。

5.如权利要求4所述的各向异性器件，其特征在于，所述若干周围漏电极/周围源电极的数量为4-36个，任意相邻两个周围漏电极/周围源电极的夹角为10-90°。

6.如权利要求1所述的各向异性器件，其特征在于，所述各向异性器件包括层叠在所述隔离层上的多个间隔排布的二维纳米薄膜层，任意相邻两个所述二维纳米薄膜层的间距为10μm-500μm。

7.如权利要求1所述的各向异性器件，其特征在于，所述二维纳米薄膜层的厚度为2nm-80nm。

8.一种各向异性器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基体层及隔离层；

采用剥离法获得二维纳米薄膜层，然后将所述二维纳米薄膜层转移至所述隔离层上，所述二维纳米薄膜层的材质为具有各向异性的二维纳米薄膜层；

沉积电极材料，形成中央源电极/中央漏电极及若干周围漏电极/周围源电极，得到各向异性器件；

其中，所述中央源电极/中央漏电极设于所述二维纳米薄膜层的中部，所述若干周围漏电极/周围源电极沿所述中央源电极/中央漏电极的周向设于所述隔离层上，且所述若干周围漏电极/周围源电极朝向二维纳米薄膜层延伸至接触二维纳米薄膜层。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，沉积电极材料过程中，在所述二维纳米薄膜层上以及未被所述二维纳米薄膜层覆盖的所述隔离层上旋涂光刻胶，经曝光和显影后，形成电极图案；

沉积电极材料后，然后去除所述光刻胶，形成中央源电极/中央漏电极及若干周围漏电极/周围源电极。

10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，剥离法获得二维纳米薄膜层的过程包括：取少量单晶原料粘到胶带上，反复撕10-40次，再将撕好的二维纳米薄膜样品转移至隔离层，形成二维纳米薄膜层。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，将二维纳米薄膜样品转移至隔离层上的过程包括：将二维纳米薄膜样品转移到聚二甲基硅氧烷薄膜上，然后将聚二甲基硅氧烷薄膜上的二维纳米薄膜样品转移到隔离层上。

12.一种如权利要求1-7任一项所述的各向异性器件在信息存储领域的应用。