[发明专利]集成闭环式磁场传感器在审
| 申请号： | 201911279203.8 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110865320A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 刘明;关蒙萌;胡忠强;周子尧;朱家训;吴金根 | 申请（专利权）人： | 珠海多创科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/05 | 分类号： | G01R33/05 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 闭环 磁场 传感器 | ||
1.集成闭环式磁场传感器，其特征在于，包括：
衬底；
设置于所述衬底上的磁阻传感层，所述磁阻传感层上设置有用于向外输出电压信号的输出端；
设置于所述磁阻传感层上的绝缘层；
设置于所述绝缘层上的磁电复合层，所述磁电复合层包括位于所述绝缘层上的铁磁层和位于所述铁磁层上的压电层，所述铁磁层上设置有用于接收反馈电压的电压加载端。
2.如权利要求1所述的集成闭环式磁场传感器，其特征在于：所述磁阻传感层为磁阻薄膜。
3.如权利要求1或2所述的集成闭环式磁场传感器，其特征在于：所述磁阻传感层为AMR单元或GMR单元或TMR单元或GMI单元。
4.如权利要求1所述的集成闭环式磁场传感器，其特征在于：所述磁阻传感层为桥式结构。
5.如权利要求1所述的集成闭环式磁场传感器，其特征在于：所述磁电复合层由磁致伸缩系数≥50ppm且静态磁导率≥10000的铁磁材料和电致伸缩系数≥500ppm的铁电材料复合而成。
6.如权利要求5所述的集成闭环式磁场传感器，其特征在于：所述铁磁材料为FeCoB或FeGaB或FeCoBSi或FeCoB。
7.如权利要求5所述的集成闭环式磁场传感器，其特征在于：所述铁电材料为PZT或PZN-PT或PMN-PT或AlN或HfO2。
8.如权利要求1所述的集成闭环式磁场传感器，其特征在于：所述铁磁层与所述磁阻传感层之间的距离为15nm～100nm。
9.如权利要求1所述的集成闭环式磁场传感器，其特征在于：所述输出端与外部的放大电路相连，将磁阻传感层的电压信号输出至放大电路，放大电路将电压信号放大后反馈至所述磁电复合层，反馈电压通过所述电压加载端加载在所述磁电复合层上。
10.如权利要求1或9所述的集成闭环式磁场传感器，其特征在于：所述输出端包括第一接线点和第二接线点，所述电压加载端包括第三接线点和第四接线点，所述磁阻传感层上设置有供电端口。
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