[发明专利]具有通过电磁致动控制的可倾斜悬置结构的MEMS设备

权利要求书

1.一种用于制造MEMS设备的方法，所述方法包括：

在半导体本体上形成临时偏置结构；

在所述半导体本体上形成致动线圈，所述致动线圈具有第一端匝、第二端匝、以及中间匝，所述中间匝被布置在所述第一端匝和所述第二端匝之间，并且通过所述临时偏置结构被电耦合至所述第一端匝；

选择性地去除所述临时偏置结构的部分，从而将所述第一端匝与所述中间匝电分离，并且与虚设偏置区域电分离，所述虚设偏置区域与所述第一端匝相邻；以及

选择性地去除所述半导体本体的部分，以限定固定结构、悬置结构和支撑结构，所述悬置结构承载所述致动线圈并且由所述固定结构承载，所述支撑结构将所述悬置结构耦合到所述固定结构，并且配置为允许所述悬置结构相对于所述固定结构具有至少一个自由度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述临时偏置结构包括：

在所述半导体本体上形成钝化层；

在所述钝化层内形成掩埋传导性区域，所述掩埋传导性区域具有第一接触部分和第二接触部分；

在所述钝化层上形成传导性材料的种子结构，所述种子结构包括第一种子部分、第二种子部分和第三种子部分，所述第一种子部分与所述第一接触部分电接触，所述第二种子部分与所述第二接触部分电接触，并且所述第二种子部分属于所述虚设偏置区域，所述第二种子部分和所述第三种子部分彼此连续并且彼此电接触；

选择性地覆盖所述种子结构；以及

通过在所述第一种子部分上生长所述中间匝以及在所述第三种子部分上生长所述第一端匝的至少一部分，在所述种子结构上电镀生长所述致动线圈，其中所述掩埋传导性区域通过所述第二种子部分将所述第一种子部分与所述第三种子部分保持在相同的电势。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一端匝是所述致动线圈的内匝，其中所述第二端匝是所述致动线圈的外匝，以及其中所述虚设偏置区域与所述内匝相邻。

4.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述掩埋传导性区域包括：

形成传导性层并且图案化所述传导性层，以成形所述掩埋传导性区域以及至少一个电连接区域，所述至少一个电连接区域具有第一连接部分和第二连接部分，所述第一连接部分与所述第一端匝电接触；以及

在所述固定结构上形成导电区域，所述导电区域与所述电连接区域的所述第二连接部分电接触。

5.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述种子结构包括：形成种子层并且图案化所述种子层，以形成所述第二种子部分和线圈形种子区域，所述线圈形种子区域包括所述第一种子部分和所述第三种子部分，并且其中选择性地去除所述临时偏置结构的部分包括：去除所述种子层的在所述第一端匝与所述虚设偏置区域之间的部分。

6.根据权利要求2所述的方法，其中形成种子结构包括形成种子层；其中选择性地覆盖所述种子结构包括形成具有线圈形开口的电镀生长掩模；其中，在电镀生长所述致动线圈之后，所述电镀生长掩模被去除；以及其中选择性地去除所述种子层的部分包括去除所述种子层的在所述致动线圈的所述匝之间的部分以及在所述第一端匝与所述虚设偏置区域之间的部分。

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述种子结构具有第一厚度，并且所述掩埋传导性区域具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述种子结构具有介于50nm与500nm之间的厚度，并且所述掩埋传导性区域具有介于300nm与700nm之间的厚度。

9.根据权利要求2所述的方法，其中所述种子结构由在铜、铜合金和金之中选择的金属构成，并且其中所述掩埋传导性区域由在金、铝和铜之中选择的金属构成。