[发明专利]磁阻式随机存取存储器的布局图案

说明书

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其主要包含一第一磁隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)图案设于一基底上、一第二MTJ图案设于该第一MTJ图案旁以及一第三MTJ图案设于该第一MTJ图案以及该第二MTJ图案之间，其中该第一MTJ图案、该第二MTJ图案以及该第三MTJ图案是交错排列。

技术领域

本发明涉及一种磁阻式随机存取存储器的布局图案。

背景技术

已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。

上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,GPS)的电子罗盘(electroniccompass)零组件，用来提供使用者移动方位等资讯。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropic magnetoresistance,AMR)感测元件、巨磁阻(GMR)感测元件、磁隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)感测元件等等。然而，上述现有技术的缺点通常包括：较占芯片面积、制作工艺较昂贵、较耗电、灵敏度不足，以及易受温度变化影响等等，而有必要进一步改进。

发明内容

本发明一实施例揭露一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其主要包含一第一磁隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)图案设于一基底上、一第二MTJ图案设于该第一MTJ图案旁以及一第三MTJ图案设于该第一MTJ图案以及该第二MTJ图案之间，其中该第一MTJ图案、该第二MTJ图案以及该第三MTJ图案是交错排列。

依据本发明一实施例，其中该第三MTJ图案相对于该第一MTJ图案沿着一第一方向延伸且该第二MTJ图案相对于该第三MTJ图案沿着一第二方向延伸。

依据本发明一实施例，其中该第二MTJ图案相对于该第一MTJ图案沿着一第三方向延伸。

依据本发明一实施例，其中该第一方向以及该第三方向间的夹角小于90度。

依据本发明一实施例，其中该第二方向以及该第三方向间的夹角小于90度。

依据本发明一实施例，其中该第一方向、该第二方向以及该第三方向一同构成一三角形。

依据本发明一实施例，另包含一第四MTJ图案相对于该第一MTJ图案沿着该第二方向延伸。

依据本发明一实施例，其中该第四MTJ图案相对于该第二MTJ图案沿着该第一方向延伸。

依据本发明一实施例，其中该第一MTJ图案、该第二MTJ图案、该第三MTJ图案以及该第四MTJ图案包含一菱形。

依据本发明一实施例，其中该第一MTJ图案及该第二MTJ图案的距离不同于该第三MTJ图案及该第四MTJ图案间的距离。

附图说明

图1为本发明一实施例的一半导体元件的布局上视图；

图2为图1中沿着切线AA’以及切线BB’的剖面示意图；

图3为本发明一实施例的一半导体元件的布局上视图；

图4为图3中沿着切线CC’以及切线DD’的剖面示意图；

图5为本发明一实施例MRAM单元中MTJ的布局图案示意图；