[发明专利]半导体封装件和连接结构在审
申请号: | 201911280102.2 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN111326485A | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 朴智恩 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/552;H01L23/485 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘雪珂;王秀君 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 连接 结构 | ||
1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:
连接结构,具有彼此相对的第一表面和第二表面,并且所述连接结构包括多个绝缘层以及设置在所述多个绝缘层上的重新分布层;
半导体芯片,设置在所述连接结构的所述第一表面上并且具有连接到所述重新分布层的连接垫;
包封剂,设置在所述连接结构的所述第一表面上并且包封所述半导体芯片;以及
无源组件,嵌在所述连接结构中并且具有连接到所述重新分布层的连接端子,
其中,所述重新分布层包括:多个重新分布图案,所述重新分布图案中的每个设置在所述多个绝缘层中的相应的绝缘层上;以及多个重新分布过孔,每个贯穿所述多个绝缘层的相应的绝缘层并且连接到所述多个重新分布图案中的相应的重新分布图案,并且
所述多个重新分布过孔包括围绕所述无源组件布置的多个阻挡过孔,并且所述多个重新分布图案包括连接相邻的阻挡过孔的阻挡图案。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个绝缘层包括腔,所述无源组件安装在所述腔中,并且所述阻挡过孔围绕所述腔布置。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个阻挡过孔布置为使得设置在相邻的不同绝缘层上的阻挡过孔彼此重叠。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个阻挡过孔布置成使得设置在相邻的不同绝缘层上的阻挡过孔的中心彼此偏移。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述阻挡图案是在所述无源组件的整个外周周围延伸的单个图案。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述阻挡图案包括围绕所述无源组件布置的多个图案。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述无源组件的所述连接端子连接到设置在所述多个绝缘层之中的与所述无源组件的一个表面相邻的绝缘层上的重新分布图案或重新分布过孔。
8.根据权利要求7所述的半导体封装件,其中,所述无源组件通过粘合层结合到所述多个绝缘层之中的与所述无源组件的同所述一个表面相对的另一表面相邻的绝缘层上。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述重新分布层还包括接地图案,并且所述阻挡过孔或所述阻挡图案连接到所述接地图案。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括多个电连接金属件,所述多个电连接金属件设置在所述连接结构的所述第二表面上并且均连接到所述重新分布层,
其中,所述多个电连接金属件包括连接到所述阻挡过孔或所述阻挡图案的接地连接金属件。
11.根据权利要求10所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括凸块下金属层,所述凸块下金属层设置在所述连接结构的所述第二表面上并且使所述多个电连接金属件和所述重新分布层彼此连接。
12.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括设置在所述连接结构的所述第一表面上的框架,所述框架具有其中设置有所述半导体芯片的通孔,并且所述框架具有设置在其中并且连接到所述重新分布层的布线结构。
13.根据权利要求12所述的半导体封装件,其中,所述框架包括顺序地设置在所述连接结构的所述第一表面上的第一绝缘层和第二绝缘层,并且
所述布线结构包括:第一布线图案,嵌在所述第一绝缘层的一个表面中;第二布线图案,设置在所述第一绝缘层的与所述第一绝缘层的所述一个表面相对的另一表面上;第三布线图案,设置在所述第二绝缘层的与所述第二绝缘层的其上设置有所述第二布线图案的一个表面相对的另一表面上;第一布线过孔,贯穿所述第一绝缘层并且使所述第一布线图案和所述第二布线图案彼此连接;以及第二布线过孔,贯穿所述第二绝缘层并且使所述第二布线图案和所述第三布线图案彼此连接。
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