[发明专利]一种中高压双向全固态直流断路器及其高电位供能装置在审
申请号: | 201911280168.1 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN110943440A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 施小东;陈鹏;施秦峰;祝建军;郑立成 | 申请(专利权)人: | 浙江大维高新技术股份有限公司 |
主分类号: | H02H7/26 | 分类号: | H02H7/26;H02J5/00;H02M5/458;H02M7/48;H02M1/34 |
代理公司: | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人: | 王丰毅 |
地址: | 321031 浙江省金华*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 双向 固态 直流 断路器 及其 电位 装置 | ||
1.一种中高压双向全固态直流断路器,包括机械隔离开关(1)、限流电感(2)、额定电流通路支路(3)和故障电流切除支路(4),额定电流通路支路(3)和故障电流切除支路(4)并联;其特征在于,所述额定电流通路支路(3)包括串联的电力电子开关组件(5)和IGBT组件(6),电力电子开关组件(5)由若干组晶闸管单元(51)串联而成,每组晶闸管单元(51)由正向晶闸管、直流均压支路(52)、动态均压支路(53)和反向晶闸管并联而成;IGBT组件(6)包括若干组IGBT单元(7)并联而成;所述故障电流切除支路(4)包括若干组IGBT单元(7)串联而成;所述IGBT单元(7)包括全桥IGBT模块双向通流支路和能量吸收支路,所述全桥IGBT模块双向通流支路并联能量吸收支路,所述IGBT模块双向通流支路的桥臂为IGBT模块(8),IGBT模块(8)两端连接有RCD保护吸收支路(9)和直流均压电阻(10)。
2.根据权利要求1所述的一种中高压双向全固态直流断路器,其特征在于,所述IGBT模块(8)为压接式IGBT模块(8)。
3.根据权利要求1或2所述的一种中高压双向全固态直流断路器,其特征在于,所述能量吸收支路包括一个直流电容和一个MOV氧化锌避雷器并联组成。
4.根据权利要求1或2所述的一种中高压双向全固态直流断路器,其特征在于,所述RCD保护吸收支路(9)包括二极管、电阻、直流电容,RCD保护吸收支路(9)的电阻与二极管并联后与直流电容串联。
5.根据权利要求3所述的一种中高压双向全固态直流断路器,其特征在于,所述RCD保护吸收支路(9)包括二极管、电阻、直流电容,RCD保护吸收支路(9)的电阻与二极管并联后与直流电容串联。
6.一种高电位供能装置,其特征在于,包括PMW脉冲宽度调制整流电路(11)、滤波电容、全桥逆变电路(12)、谐振电容组件(15)、磁环变压器(16)、全桥整流二极管组件(14)、高压储能滤波电容、泄放电阻、直流电压变换器;所述PMW脉冲宽度调制整流电路(11)、滤波电容和全桥逆变电路(12)依次并联;所述PMW脉冲宽度调制整流电路(11),包括交流侧的电感和IGBT模块组成的三相半桥电路;所述全桥逆变电路(12)的桥臂为IGBT模块;所述全桥逆变电路(12)输出端与谐振电容组件(15)输入端相连;所述谐振电容组件(15)的输出端与磁环变压器(16)的一次回路相连,所述谐振电容组件(15)和所述磁环变压器(16)的漏感形成LCC串并联谐振电路(13);磁环变压器(16)的二次回路和全桥整流二极管组件(14)输入端相连,所述全桥整流二极管组件(14)、高压储能滤波电容、泄放电阻依次并联,泄放电阻的输出端和直流电压变换器相连。
7.根据权利要求5所述的一种高电位供能装置,其特征在于,所述磁环变压器(16)为纳米晶或锰锌铁氧体磁环变压器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大维高新技术股份有限公司,未经浙江大维高新技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911280168.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。