[发明专利]一种基于离子束印刷系统的离子束印刷方法

权利要求书

1.一种基于离子束印刷系统的离子束印刷方法，其特征在于，所述离子束印刷系统包括放置在真空中的卷对卷印刷机以及安装在所述卷对卷印刷机上的中高能宽域离子源、中低能宽域离子源以及低能离子源；所述离子束印刷方法包括：

准备聚酰亚胺基体；

在所述聚酰亚胺基体表面涂覆干膜；

按照预设电路图形对所述干膜进行刻蚀，形成刻蚀后基体；

采用所述离子束印刷系统在所述刻蚀后基体的所述预设电路图形上沉积宽域能金属离子，形成金属薄膜基体；

将所述金属薄膜基体表面的干膜进行剥离，得到印刷电路板；

所述采用所述离子束印刷系统在所述刻蚀后基体的所述预设电路图形上沉积宽域能金属离子，形成金属薄膜基体，具体包括：

采用所述中高能宽域离子源产生的中高能宽域离子束对所述刻蚀后基体表面的预设电路图形位置进行表面处理，形成表面处理后的基体；

采用所述中低能宽域离子源产生的中低能宽域离子束在所述表面处理后的基体表面的预设电路图形位置沉积超薄金属层，形成沉积超薄金属层后的基体；

采用所述低能离子源产生的低能离子束在所述沉积超薄金属层后的基体表面的预设电路图形位置进行金属沉积加厚，形成所述金属薄膜基体。

2.根据权利要求1所述的基于离子束印刷系统的离子束印刷方法，其特征在于，所述宽域能金属离子为镍离子或者铜离子；所述宽域能金属离子的能量范围为30ev-20k ev。

3.根据权利要求1所述的基于离子束印刷系统的离子束印刷方法，其特征在于，所述采用所述中高能宽域离子源产生的中高能宽域离子束对所述刻蚀后基体表面的预设电路图形位置进行表面处理，形成表面处理后的基体，具体包括：

采用所述中高能宽域离子源在所述刻蚀后基体表面的预设电路图形位置注入中高能宽域离子束，注入电压为8～30kV，束流强度为1～10mA，注入剂量为1×10¹⁵～1×10¹⁶个/cm²，注入深度为70～120nm。

4.根据权利要求1所述的基于离子束印刷系统的离子束印刷方法，其特征在于，所述采用所述中低能宽域离子源产生的中低能宽域离子束在所述表面处理后的基体表面的预设电路图形位置沉积超薄金属层，形成沉积超薄金属层后的基体，具体包括：

采用所述中低能宽域离子源在所述表面处理后的基体表面的预设电路图形位置采用磁过滤沉积方式沉积一层超薄金属层，形成沉积超薄金属层后的基体；所述磁过滤沉积方式采用的弧流为90～150A，弯管磁场电流为1.0～4.0A。

5.根据权利要求1所述的基于离子束印刷系统的离子束印刷方法，其特征在于，所述采用所述低能离子源产生的低能离子束在所述沉积超薄金属层后的基体表面的预设电路图形位置进行金属沉积加厚，形成所述金属薄膜基体，具体包括：

采用所述低能离子源在所述沉积超薄金属层后的基体表面的预设电路图形位置采用磁过滤沉积方式进一步沉积一层加厚金属层，形成所述金属薄膜基体；所述磁过滤沉积方式采用的弧流为100～150A，弯管磁场电流为2.0～4.0A。

6.根据权利要求1所述的基于离子束印刷系统的离子束印刷方法，其特征在于，所述中高能宽域离子源通过阴极脉冲触发形成等离子体，通过磁管道进行引出，在引出阳极外设置中高能射频电源；所述中高能射频电源的电压范围为0-1000V，频率范围为0.1-3MHz。

7.根据权利要求1所述的基于离子束印刷系统的离子束印刷方法，其特征在于，所述中低能宽域离子源通过直流触发形成等离子体，通过磁管道进行引出，在引出管道外设置中低能射频电源；所述中低能射频电源的电压范围为0-100V，频率范围为0.1-3MHz。

8.根据权利要求1所述的基于离子束印刷系统的离子束印刷方法，其特征在于，所述低能离子源通过直流触发形成等离子体，通过磁管道进行引出，在引出管道外无射频电源，但在引出管道上设置引出磁场。