[发明专利]基于分子受体的化学场效应晶体管

权利要求书

1.一种用于将膜材料固定于基于分子受体的化学场效应晶体管(CHEMFET)的栅极的方法，该方法包括：

将所述膜材料铸于所述栅极的暴露区域上；

固化所述膜材料；

将所述CHEMFET放置于模具中，所述模具被配置为保护所述暴露区域，以使得不渗透的电绝缘树脂的单一应用被布置在所述膜材料的所有边缘和CHEMFET的其它组件上，而未被布置在所述栅极的暴露区域上；

将所述不渗透的电绝缘树脂的单一应用插入到所述模具中；

通过将所述不渗透的电绝缘树脂的边缘树脂紧固件应用在所述膜的所有边缘上来固定所述膜材料的边缘，从而在物理上防止所述膜材料脱离所述栅极；以及

其中所述膜材料的准备包括将橡胶聚合物、离子载体以及小分子受体进行混合。

2.如权利要求1所述的方法，所述橡胶聚合物包括聚(丙烯腈-共丁二烯)聚合物；并且所述离子载体包括四烷基溴化铵或四烷基硝酸铵中的至少一种。

3.如权利要求1所述的方法，其中准备所述膜材料还包括将聚合物、包含烷基的离子载体以及小分子受体进行混合。

4.如权利要求3所述的方法，所述橡胶聚合物包括聚(丙烯腈-共丁二烯)聚合物；并且所述包含烷基的离子载体包括四癸基溴化铵。

5.如权利要求1所述的方法，其中准备所述膜材料还包括将橡胶聚合物、平衡离子以及小分子受体进行混合。

6.如权利要求5所述的方法，所述橡胶聚合物包括聚(丙烯腈-共丁二烯)聚合物；并且所述平衡离子包括四辛基氯化铵或者四辛基硝酸铵中的至少一种。

7.如权利要求1所述的方法，其中准备所述膜材料还包括将8％至99％重量的聚(丙烯腈-共丁二烯)聚合物、0.1％至19％重量的四辛基溴化铵以及0.1％至10％重量的分子受体混合于四氢呋喃中。

8.如权利要求1所述的方法，还包括将所述CHEMFET从所述模具移除。

9.一种用于将膜材料固定于基于分子受体的化学场效应晶体管(CHEMFET)的栅极的方法，该方法包括：

用遮罩覆盖所述CHEMFET的栅极的暴露区域；

由不渗透的电绝缘树脂的第一应用来封装所述CHEMFET，以覆盖所述CHEMFET的至少源极线和漏极线；

移除所述遮罩，从而露出所述栅极的暴露区域；

将所述膜材料铸于所述栅极的暴露区域上以及所述不渗透的电绝缘树脂的第一应用的至少一些上；

固化所述膜材料；

通过所述不渗透的电绝缘树脂的第二应用在所述膜的所有边缘上来固定所述膜材料的边缘，从而在物理上防止所述膜材料脱离所述栅极；以及

其中所述膜材料的准备包括将橡胶聚合物、离子载体以及小分子受体进行混合。

10.如权利要求9所述的方法，所述橡胶聚合物包括聚(丙烯腈-共丁二烯)聚合物；并且所述离子载体包括四烷基溴化铵或四烷基硝酸铵中的至少一种。

11.如权利要求9所述的方法，其中准备所述膜材料还包括将橡胶聚合物、包含烷基的离子载体以及小分子受体进行混合。

12.如权利要求11所述的方法，所述橡胶聚合物包括聚(丙烯腈-共丁二烯)聚合物；所述包含烷基的离子载体包括四癸基溴化铵。

13.如权利要求9所述的方法，其中准备所述膜材料还包括将橡胶聚合物、平衡离子以及小分子受体进行混合。

14.如权利要求13所述的方法，所述橡胶聚合物包括聚(丙烯腈-共丁二烯)聚合物；并且所述平衡离子包括四辛基氯化铵或者四辛基硝酸铵中的至少一种。