[发明专利]一种分层式像素补偿电路

权利要求书

1.一种分层式像素补偿电路，其特征在于，包括基板上设置的下层薄膜晶体管区、上层薄膜晶体管区、所述上层薄膜晶体管区与下层薄膜晶体管区之间还设置有绝缘层，上层薄膜晶体管区的电极与下层薄膜晶体管区的电极通过穿过绝缘层的连接线连接，上层薄膜晶体管区还图案化有机发光二极管，上层薄膜晶体管区域的薄膜晶体管与下层薄膜晶体管区的薄膜晶体管连接成有机发光二极管的补偿电路；

所述下层薄膜晶体管区包括薄膜晶体管T1、T2、T4以及电容C；上层薄膜晶体管区包括T3、T5、T6；所述T1的源极与Vdata连接，栅极接第一扫描信号，漏极与T2的源极和电容C的一端连接；所述T2的栅极与第三扫描信号连接，T2的漏极与T4的漏极连接；

所述T4的栅极还通过第一上下层接线与T3的漏极连接，所述T3的栅极与第一扫描信号连接，所述T3的源极与T5的漏极连接，T5的栅极与第二扫描信号连接，T5的源极与片上电压VDD连接，T3的源极还通过第二上下层连接线与T4的源极连接；所述T2的漏极还通过第三上下层连接线与T6的漏极和发光像素的正极连接，T6的栅极与第一扫描信号连接，V6的源极与参考电压Vref连接。

2.根据权利要求1所述的分层式像素补偿电路，其特征在于，所述下层薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，下层薄膜晶体管区包括多晶硅有源层，多晶硅有源层与金属电极连接，所述多晶硅有源层上包覆有阻隔层，所述阻隔层上设置有第一栅极层，所述多晶硅有源层、金属电极及第一栅极层被图案化为若干多晶硅薄膜晶体管，

所述上层薄膜晶体管区包括氧化物有源层，上层薄膜晶体管区图案化有氧化物薄膜晶体管及AMOLED像素；

还包括连接线，所述多晶硅薄膜晶体管通过连接线与氧化物薄膜晶体管连接成像素补偿电路。

3.根据权利要求2所述的分层式像素补偿电路，其特征在于，所述阻隔层及第一栅极层上还包覆有介质层，介质层设置在绝缘层下方。

4.根据权利要求3所述的分层式像素补偿电路，其特征在于，所述介质层为氢化非晶氮化硅。

5.根据权利要求2所述的分层式像素补偿电路，其特征在于，所述阻隔层为氧化硅或氧化铝薄膜。

6.根据权利要求1所述的分层式像素补偿电路，其特征在于，所述绝缘层上述还设置有平坦层，所述平坦层为有机绝缘材料薄膜。

7.根据权利要求1所述的分层式像素补偿电路，其特征在于，所述绝缘层为氧化硅薄膜。

8.根据权利要求1所述的分层式像素补偿电路，其特征在于，所述像素为LTPO像素。

9.根据权利要求1所述的分层式像素补偿电路，其特征在于，所述基板为玻璃基板。