[发明专利]生成具有光发射和/或光接收二极管的器件的方法

权利要求书

1.一种用于生成具有光发射和/或光接收二极管(102)的至少一个器件(100)的方法，该方法至少包括：

-在衬底(104)上生成至少包括第一半导体层和第二半导体层(108，116)的层的堆叠(106)，所述第一半导体层,和所述第二半导体层(108，116)根据相反的导电类型进行掺杂，所述第一层(108)被布置在所述衬底(104)和所述第二层(116)之间；

-从所述堆叠(106)的前表面(122)对所述堆叠(106)进行第一蚀刻，形成穿过所述第二层(116)整个厚度的第一开口(124)，所述前表面(122)位于与被布置成抵靠所述衬底(104)的一侧相对的一侧上，所述第二层(116)的底壁由所述第一层(108)形成；

-在所述第一开口(124)中生成介电部分(138)，所述介电部分(138)覆盖至少由所述第二层(116)所形成的侧壁；

-对所述堆叠(106)进行第二蚀刻，使所述第一开口(124)延伸穿过所述第一层(108)的剩余厚度直到到达所述衬底(104)为止，所述第一开口(124)界定出所述第一层和所述第二层(108，116)中形成所述二极管(102)的p-n结的部分(136，130)；

-进行附加蚀刻使所述第一开口(124)延伸进入所述衬底(104)的部分中；

-生成被布置在所述第一开口(124)中并且与所述第一层(108)的所述部分(136)的侧壁(140)电接触的第一导电部分(148)，形成所述二极管(102)的第一电极，以及生成被电连接至所述第二层(116)的所述部分(130)的第二电极(150)；

-去除所述衬底(104)，暴露出所述二极管(102)中每个二极管的后表面(158)，并且释放所述第一导电部分(148)中形成准直栅格(160)的部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，实施了使所述第一开口(124)延伸的附加蚀刻的所述衬底(104)的所述部分的厚度在1μm到20μm之间，和/或，其中，实施了使所述第一开口(124)延伸的附加蚀刻的所述衬底(104)的所述部分的厚度与每个第一开口(124)在平行于所述衬底(104)和所述堆叠(106)之间的界面的平面中的最小尺寸之间的比值大于或等于2。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中：

-实施对所述堆叠(106)的所述第一蚀刻，以使得所述第一开口(124)也穿过所述第一层(108)的部分(134)；以及

-生成所述介电部分(138)，以使得所述介电部分在所述第一开口(124)中覆盖所述第一层(108)的所述部分(134)的侧壁。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中

-所述堆叠(106)包括：形成所述堆叠(106)的所述前表面(122)的介电掩模(126)，

-通过所述介电掩模(126)实施对所述堆叠(106)的所述第一蚀刻和所述第二蚀刻，以使得所述第一开口(124)也穿过所述介电掩模(126)，以及

-所述介电部分(138)也在所述第一开口(124)中覆盖所述介电掩模(126)的侧壁。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，执行对所述堆叠(106)的所述第二蚀刻，以使得所述介电部分(138)的所述侧壁与所述第一层(108)的所述部分(136)的所述侧壁(140)对准。

6.根据权利要求4或5中任一项所述的方法，进一步包括：在对所述堆叠(106)的所述第二蚀刻和生成所述第一导电部分(148)之间，通过所述介电掩模(126)生成第二开口(142)，在所述第二开口(142)中至少部分地生成有所述第二电极(150)。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，通过以下方式来生成所述第一电极和所述第二电极：在所述第一开口(124)和所述第二开口(142)中以及在所述介电掩模(126)上沉积至少一种导电材料(144、146)，然后实施对所述导电材料(144、146)进行平坦化直到所述介电掩模(126)上为止的步骤。