[发明专利]自钳位IGBT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911281948.8 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110993516B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 孙永生;钟圣荣;周东飞 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/49;H01L25/18;F02P3/02 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;林嵩 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种自钳位IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
在IGBT芯片上制作第一打线窗口；
其中，所述第一打线窗口与所述IGBT芯片的集电极连接；
在第一芯片上制作第二打线窗口和第三打线窗口；
其中，所述第一芯片上设有N个具有钳位保护功能的晶体管，N≥2且取整数；
在封装时，将所述第一芯片叠放在所述IGBT芯片表面；
将所述第一打线窗口和所述第二打线窗口进行打线连接，并将所述第三打线窗口和所述IGBT芯片的栅极进行打线连接。
2.如权利要求1所述的自钳位IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述晶体管包括二极管、三极管、场效应管或晶闸管。
3.如权利要求1或2所述的自钳位IGBT器件的制造方法，其特征在于，当所述晶体管包括二极管时，N个所述二极管串联连接；
其中，串联连接的第一个所述二极管的阴极与所述第二打线窗口连接，最后一个所述二极管的阴极与所述第三打线窗口连接。
4.如权利要求1所述的自钳位IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述将所述第一芯片叠放在所述IGBT芯片表面的步骤之后还包括：
将所述第一芯片和所述IGBT芯片进行黏合固定；
其中，所述第一芯片和所述IGBT芯片之间相互绝缘。
5.如权利要求1所述的自钳位IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述第一芯片与所述IGBT芯片的栅极均位于所述IGBT芯片的同一侧。
6.如权利要求5所述的自钳位IGBT器件的制造方法，其特征在于，当所述IGBT芯片的栅极位于所述IGBT芯片的一侧中间位置，所述第一芯片叠放在所述IGBT芯片的一侧的任意一端位置；
其中，所述第一打线窗口位于距离所述第一芯片的设定范围内。
7.如权利要求1所述的自钳位IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
采用钝化处理将所述第一芯片和所述栅极与所述IGBT芯片的有源区进行隔离。
8.如权利要求4所述的自钳位IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述将所述第一芯片和所述IGBT芯片进行黏合固定的步骤之后还包括：
对黏合固定后的所述第一芯片和所述IGBT芯片依次进行塑封、固化、电镀、切筋的工艺操作。
9.一种自钳位IGBT器件，其特征在于，所述自钳位IGBT器件采用权利要求1至8中任意一项所述的自钳位IGBT器件的制造方法得到。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
