[发明专利]绝缘体上鳍片的制造方法

权利要求书

1.一种绝缘体上鳍片的制造方法，包括：

在衬底上形成鳍片；

在鳍片侧壁上形成侧墙；

各向异性刻蚀衬底，在鳍片下方留下底部结构；各向同

性刻蚀衬底，减小底部结构宽度；

对底部结构执行氧化或氮化工艺，使其转变为氧化物或氮化物绝缘体。

2.如权利要求1所述的方法，其中，衬底材质选自Si、Ge、SOI、GeOI、应变硅、SiGe、GaN、GaAs、InP、InSb、石墨烯、SiC、碳纳管的任一及其组合。

3.如权利要求1所述的方法，其中，形成侧墙的步骤进一步包括：在衬底和鳍片上形成保护层；

各向异性刻蚀保护层，去除衬底和鳍片顶部的保护层，仅在鳍片侧壁上留下侧墙。

4.如权利要求1所述的方法，其中，侧墙材质选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、类金刚石无定形碳的任一及其组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中，各向同性刻蚀之后，底部结构宽度为鳍片宽度的2/3～1/2。

6.如权利要求1所述的方法，其中，氧化或氮化工艺包括热氧化、化学氧化或氮化、等离子氧化或氮化、气相氧化或氮化，或者倾斜注入氧或氮之后退火使其氧化或氮化。

7.如权利要求1所述的方法，其中，控制氧化或氮化工艺参数，使得底部结构完全氧化或氮化而转变为绝缘体。

8.如权利要求1所述的方法，其中，增加氧化或氮化工艺时间，使得衬底顶部被局部氧化或氮化以与绝缘体相接。

9.如权利要求1所述的方法，其中，各向同性和/或各向异性刻蚀工艺为等离子体干法刻蚀或者RIE。

10.如权利要求9所述的方法，其中，刻蚀气体选自NF₃、SF₆、CF₄、CH₂F₂、CH₃F、CHF₃、Cl₂。