[发明专利]一种总剂量效应缺陷模型的确定方法及装置

权利要求书

1.一种总剂量效应缺陷模型的确定方法，其特征在于，包括：

构建晶体管三维结构模型；

获取初始空穴陷阱电荷参数至所述晶体管三维结构模型，形成初始辐射缺陷损伤模型；

基于所述晶体管三维结构模型中设定的物理模型和数值求解方法，计算所述初始辐射缺陷损伤模型的初始归一化过剩基极电流；

确定所述初始归一化过剩基极电流为预设初始归一化过剩基极电流时，根据所述初始空穴陷阱电荷参数以及预设的每相邻两个辐射剂量点的归一化过剩基极电流之间的比例关系确定不同辐射剂量点对应的空穴陷阱电荷参数，形成不同辐射剂量点下的总剂量效应缺陷模型；

其中，辐射剂量点为Q_i时的空穴陷阱电荷参数N_i＝(I_i)*(N_i-1)/(I_i-1)，I_i为辐射剂量点为Q_i时的预设电流，I_i-1为辐射剂量点为Q_i-1时的预设电流，N_i-1为辐射剂量点为Q_i-1时空穴陷阱电荷参数，N_i为辐射剂量点为Q_i-1时空穴陷阱电荷参数；

其中，所述初始空穴陷阱电荷参数为辐射剂量点为Q₁时的空穴陷阱电荷参数N₁。

2.根据权利要求1所述的总剂量效应缺陷模型的确定方法，其特征在于，形成不同辐射剂量点下的总剂量效应缺陷模型之后，还包括：

根据所述物理模型和所述数值求解方法，计算所述不同辐射剂量点下的总剂量效应缺陷模型的终态归一化过剩基极电流；

确定所述终态归一化过剩基极电流为预设终态归一化过剩基极电流时，则确定所述总剂量效应缺陷模型为最终总剂量效应缺陷模型。

3.根据权利要求2所述的总剂量效应缺陷模型的确定方法，其特征在于，还包括：

根据所述最终总剂量效应缺陷模型绘制总剂量效应缺陷模型内部载流子复合率变化视图；

根据所述总剂量效应缺陷模型内部载流子复合率变化视图获取总剂量效应机理。

4.根据权利要求1所述的总剂量效应缺陷模型的确定方法，其特征在于，所述晶体管三维结构模型包括发射区、基区、集电区、发射结覆盖氧化层、集电结隔离氧化层以及电极接触区域；

构建晶体管三维结构模型，包括：

获取所述发射区、所述基区、所述集电区、所述发射结覆盖氧化层、所述集电结隔离氧化层以及所述电极接触区域的掺杂类型和掺杂浓度；

根据获取的所述发射区、所述基区、所述集电区、所述发射结覆盖氧化层、所述集电结隔离氧化层以及所述电极接触区域的掺杂类型和掺杂浓度形成晶体管三维结构模型。

5.根据权利要求4所述的总剂量效应缺陷模型的确定方法，其特征在于，所述晶体管三维结构模型的发射结的发射区一侧区域为高斯掺杂向基区扩散；

所述晶体管三维结构模型的集电结的集电区一侧区域为高斯掺杂向基区扩散；

所述晶体管三维结构模型的整个基区为高斯掺杂双向扩散。