[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201911282136.5 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN111077687A | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 聂晓辉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
薄膜晶体管结构层;
触控层,设于所述薄膜晶体管结构层上;
平坦层,设于所述薄膜晶体管结构层上且包覆所述触控层;
第一槽孔,从所述平坦层的远离所述触控层的一面延伸至所述触控层的表面,所述触控层的部分裸露于所述第一槽孔中;所述第一槽孔为台阶结构;
公共电极层,设于所述平坦层、所述第一槽孔和所述触控层的表面。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括
钝化层,设于所述公共电极层上;以及
第一通孔,对应于所述第一槽孔且贯穿所述钝化层,所述第一通孔与所述第一槽孔连通;
第二槽孔,从所述钝化层延伸至所述薄膜晶体管结构层的表面;
导电层,覆于所述第一通孔的孔面、所述第一槽孔中所述公共电极层的表面形成补偿层以及覆于所述第二槽孔的表面并延伸至所述钝化层的表面形成像素电极层。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管结构层包括
基板;
有源层,设于所述基板上;
栅极绝缘层,设于所述有源层上;
层间绝缘层,设于所述栅极绝缘层上;
源漏极层,设于所述层间绝缘层上,且与所述有源层相接;所述触控层与所述源漏极层同层间隔设置;所述源漏极的部分裸露于所述第二槽孔中,所述像素电极层设于所述源漏极的表面。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一槽孔包括第一孔体和围绕所述第一孔体的第二孔体,所述第一孔体与所述第二孔体相通。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一孔体投影内的所述膜层的透光率大于90%。
6.一种制备方法,用以制备如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
提供一薄膜晶体管结构层;
制备触控层于所述薄膜晶体管结构层上;
制备平坦层于所述薄膜晶体管结构层上且包覆所述触控层;
制备第一槽孔,第一槽孔从所述平坦层的远离所述触控层的一面延伸至所述触控层的表面,所述触控层的部分裸露于所述第一槽孔中;所述第一槽孔为台阶结构;
制备公共电极层于所述平坦层、所述第一槽孔和所述触控层的表面。
7.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,制备所述公共电极层后还包括包括以下步骤:
制备第二开孔,所述第二开孔从所述公共电极层延伸至所述薄膜晶体管结构层的表面;
制备钝化层于所述公共电极层上及所述第二开孔的孔面,从所述钝化层延伸至所述薄膜晶体管结构层的表面形成第二槽孔;
制备第一通孔,第一通孔对应于所述第一槽孔且贯穿所述钝化层,所述第一通孔与所述第一槽孔连通;
制备导电层覆于所述第一通孔的孔面、所述第一槽孔中所述公共电极层的表面形成补偿层以及覆于所述第二槽孔的表面并延伸至所述钝化层的表面形成像素电极层。
8.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述公共电极层是通过物理气相沉积方法制备的。
9.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述钝化层是通过化学气相沉积方法制备的。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的显示面板。
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