[发明专利]一种形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911282157.7 申请日: 2019-12-13
公开(公告)号: CN110838386A 公开(公告)日: 2020-02-25
发明(设计)人: 冷劲松;刘彦菊;黄信佐;张风华 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 北京隆源天恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11473 代理人: 张广宇
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 形状 记忆 嵌入式 双层 金属 网格 导电 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤S1,在刚性基底(1)表面制备网格模板(3);

步骤S2,在所述网格模板(3)表面沉积双层金属膜;

步骤S3,去除所述网格模板(3),得到凸起在所述刚性基底(1)表面上的双层金属网格;

步骤S4,在所述刚性基底(1)表面涂覆形状记忆聚合物(7),固化后,所述刚性基底(1)与包裹所述形状记忆聚合物(7)的双层金属网格分离,得到形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜。

2.根据权利要求1所述的形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜的制备方法,其特征在于,步骤S1所述在刚性基底(1)表面制备网格模板(3),具体包括:将聚合物乳液(2)旋涂或喷涂在所述刚性基底(1)表面,干燥后,在所述刚性基底(1)表面得到具有裂纹(4)的网格模板(3)。

3.根据权利要求2所述的形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜的制备方法,其特征在于,步骤S2所述,在所述网格模板(3)表面沉积双层金属膜,具体包括:通过真空热蒸镀法,将第一金属和第二金属按顺序沉积在所述具有裂纹(4)的网格模板(3)上,分别形成第一金属膜(5)和第二金属膜(6)。

4.根据权利要求2所述的形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜的制备方法,其特征在于,步骤S3所述,去除所述网格模板(3),得到凸起在所述刚性基底(1)表面上的双层金属网格,具体包括:在加热的条件下进行超声处理,所述网格模板(3)从所述刚性基底(1)脱落,在所述刚性基底(1)表面上得到双层金属网格。

5.根据权利要求2所述的形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述聚合物乳液(2)包括丙烯酸乳液、苯丙乳液、硅丙乳液、裂纹漆中的一种或几种。

6.根据权利要求2所述的形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述聚合物乳液(2)的浓度范围为10-30wt%。

7.根据权利要求3所述的形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜的制备方法,其特征在于,步骤S2中,所述第一金属为金,所述第二金属选自银、铜、铝、铁或镍。

8.根据权利要求3所述的形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜的制备方法,其特征在于,步骤S2中,所述第一金属膜(5)的厚度范围为20-50nm,所述第二金属膜(6)的厚度范围为200-300nm。

9.根据权利要求4所述的形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜的制备方法,其特征在于,步骤S3中,所述在加热的条件下进行超声处理,具体包括:在50-70℃的丙酮中进行超声清洗1-3min.

10.根据权利要求1所述的形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜的制备方法,其特征在于,步骤S4中,所述形状记忆聚合物选自形状记忆聚碳酸酯、形状记忆聚酰亚胺、形状记忆环烯烃共聚物、形状记忆聚对苯二甲酸乙二醇酯、形状记忆聚萘二甲酸乙二醇酯、形状记忆聚醚醚酮、形状记忆聚醚砜或形状记忆聚芳酯。

11.根据权利要求1所述的形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜的制备方法,其特征在于,步骤S4中,所述固化的条件依次为:在40-60℃温度下固化3-5h,在70-80℃温度下固化1-3h,在110-130℃温度下固化1-3h,在140-160℃温度下固化1-3h。

12.一种形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜,其特征在于,通过权利要求1-11任一项所述的形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜的制备方法制备而成,且在所述形状记忆聚合物的玻璃化转变温度范围内,所述形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜(8)能够由原始形状变成临时形状,降温后固定所述临时形状,在外部刺激驱动后,所述形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜(8)由所述临时形状回复成所述原始形状。

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