[发明专利]一种用于硅基快恢复二极管芯片的铂金掺杂方法有效
| 申请号： | 201911283460.9 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110942989B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 金银萍;杭圣桥;郁怀东;王源政 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 黄启兵 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 硅基快 恢复 二极管 芯片 铂金 掺杂 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于硅基快恢复二极管芯片的铂金掺杂方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：用研磨或刻蚀的方式去除芯片背面的介质层，同时提升芯片背面的粗糙度形成背面粗糙层，在所述背面粗糙层的下方生成P+层同时使得芯片背面硼浓度大于芯片正面硼浓度；
S2：在所述背面粗糙层下方积淀厚度为50-1000μm的铂金金属层；
S3：将完成铂金淀积的芯片置入扩散炉管或快速退火炉管中，退火温度设置为1000-1100℃，退火时间为5秒-30分钟；
S4：去除芯片背面的所述背面粗糙层和P+层。
2.根据权利要求1所述的铂金掺杂方法，其特征在于：所述步骤S1中，采用注入或硼源扩散的方式设置所述P+层，所述P+层浓度为1×1018-1×1020cm-3，深度为1-10μm。
3.根据权利要求1所述的铂金掺杂方法，其特征在于：所述步骤S2中采用溅射或蒸发的方式设置所述铂金金属层。
4.根据权利要求1所述的铂金掺杂方法，其特征在于：所述步骤S4中采用背面减薄或背面刻蚀的方式去除芯片背面的所述背面粗糙层和P+层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
