[发明专利]改进宽频段频谱相位噪声性能的电路结构

权利要求书

1.一种改进宽频段频谱相位噪声性能的电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括：

预处理模块，用于进行信号衰减和预处理；

混频处理模块，所述的混频处理模块的输入端与所述的预处理模块的输出端相连接，用于对射频信号进行多级变频；

信号转换测量模块，所述的信号转换测量模块的输入端与所述的混频处理模块的输出端相连接，用于将信号转换成数字信号，并完成后续的信号测量；

所述的混频处理模块包括常规混频单元和下变频单元，所述的下变频单元的输入端与预处理模块的输出端相连接，下变频单元的输出端与预处理模块的输入端相连接，所述的常规混频单元的输入端和输出端均与所述的下变频单元相连接，常规混频单元用于通过上变频将信号变换至中频，下变频单元用于对信号进行下变频。

2.根据权利要求1所述的改进宽频段频谱相位噪声性能的电路结构，其特征在于，所述的下变频单元包括第一射频开关、第二射频开关、第四混频器和第四本振信号子单元，所述的第一射频开关的输入端与所述的预处理模块的输出端相连接，第一射频开关的输出端输出两路信号，分别与第四混频器的输入端和常规混频单元的输入端相连接，第四混频器的输出端与第二射频开关的输入端相连接，第二射频开关的输出端与信号转换测量模块的输入端相连接，所述的第四本振信号子单元为第四混频器提供本振信号。

3.根据权利要求2所述的改进宽频段频谱相位噪声性能的电路结构，其特征在于，所述的常规混频单元包括第一混频器、第二混频器、第三混频器、第一带通滤波器、第二带通滤波器、第一本振信号子单元、第二本振信号子单元和第三本振信号子单元，所述的第一混频器、第一带通滤波器、第二混频器、第二带通滤波器和第三混频器依次连接在第一射频开关的输出端和第二射频开关的输入端，所述的第一本振信号子单元为第一混频器提供本振信号，所述的第二本振信号子单元为第二混频器提供本振信号，所述的第三本振信号子单元为第三混频器提供本振信号。

4.根据权利要求1所述的改进宽频段频谱相位噪声性能的电路结构，其特征在于，所述的下变频单元包括第一射频开关、第二射频开关、合并混频器和合并本振信号子单元，所述的合并混频器的输入端与所述的预处理模块的输出端相连接，合并混频器的输出端与第一射频开关的输入端相连接，第一射频开关的输出端分别与第二射频开关的输入端和常规混频单元的输入端相连接，第二射频开关的输出端与信号转换测量模块的输入端相连接，合并本振信号子单元为合并混频器提供本振信号。

5.根据权利要求4所述的改进宽频段频谱相位噪声性能的电路结构，其特征在于，所述的常规混频单元包括第二混频器、第三混频器、第一带通滤波器、第二带通滤波器、第二本振信号子单元和第三本振信号子单元，所述的第一带通滤波器、第二混频器、第二带通滤波器和第三混频器依次连接在第一射频开关的输出端和第二射频开关的输入端，所述的第二本振信号子单元为第二混频器提供本振信号，所述的第三本振信号子单元为第三混频器提供本振信号。

6.根据权利要求1所述的改进宽频段频谱相位噪声性能的电路结构，其特征在于，所述的预处理模块包括衰减器和预选滤波器，所述的衰减器的输出端与预选滤波器的输入端相连接，预选滤波器的输出端与混频处理模块的输入端相连接。

7.根据权利要求1所述的改进宽频段频谱相位噪声性能的电路结构，其特征在于，所述的信号转换测量模块包括第三带通滤波器、模数转换器、DDC控制器和数字信号处理器，所述的第三带通滤波器、模数转换器、DDC控制器和数字信号处理器依次相连接，第三带通滤波器的输入端与混频处理模块的输出端相连接。