[发明专利]基于高电压供应的低电压偏压产生器

权利要求书

1.一种用于产生偏压的装置，其包括：

主二极管，其具有第一端子和第二端子，所述第一端子耦合到高电压HV线且所述第二端子耦合到HV经调节线，其中所述主二极管被配置成在所述HV经调节线上提供低于所述HV线的电压的电压；

第一电流镜，其被配置成提供第一电流，所述第一电流镜具有栅极以及第一端子和第二端子，所述栅极耦合到所述主二极管的所述第一端子且所述第二端子耦合到所述HV经调节线；

第二电流镜，其被配置成提供第二电流，所述第二电流镜具有第一端子、第二端子和第三端子，所述第一端子耦合到所述HV线，所述第二端子耦合到所述第一电流镜的所述第一端子，且所述第三端子耦合到低电压LV线；以及

阻抗，其耦合于所述LV线与所述HV经调节线之间，

其中所述阻抗、所述第一电流镜和所述第二电流镜的电流以及所述主二极管被配置成提供所述HV经调节线和所述LV线之间的低于低电压阈值的电压差，提供所述HV经调节线和所述HV线之间的高于所述低电压阈值的电压差，且其中所述LV线上的电压取决于所述阻抗。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二电流镜包括LV P 型金属氧化物半导体PMOS装置。

3.根据权利要求2所述的装置，所述装置进一步包括：

第一晶体管，其连接到所述HV线和所述第二电流镜的输入；和

第二晶体管，其连接到所述HV线和所述LV线，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管调节所述LV P型金属氧化物半导体PMOS装置的条件。

4.根据权利要求2所述的装置，所述装置进一步包括：

短接线；

第一晶体管，其连接到所述短接线和所述第二电流镜的输入；和

第二晶体管，其连接到所述短接线和所述LV线，其中当所述装置停用时，所述短接线短接所述LV P型金属氧化物半导体PMOS装置的源极和漏极。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置包括偏压产生器，所述偏压产生器包括所述主二极管、所述第一电流镜和所述第二电流镜。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二电流镜包括HV装置，且其中所述低电压阈值是4伏特。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述HV经调节线和所述HV线之间的所述电压差是25伏特或更小。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述HV经调节线和所述LV线之间的所述电压差是3.6伏特。

9.根据权利要求1所述的装置，其中流过所述HV线的电流与流过所述阻抗的电流成比例。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一电流镜包括N个装置，其中所述第二电流镜包括M个装置，且其中在所述阻抗中流动的电流是基于N和M。

11.一种用于产生偏压的方法，其包括：

使用主二极管从HV线接收高电压HV并且在HV经调节线上提供低于所述HV线的电压的电压；

使用第一电流镜提供第一电流，所述第一电流镜具有栅极以及第一端子和第二端子，所述栅极耦合到所述主二极管的第一端子且所述第二端子耦合到所述HV经调节线；

使用第二电流镜提供第二电流，所述第二电流镜具有第一端子、第二端子和第三端子，所述第一端子耦合到所述HV线，所述第二端子耦合到所述第一电流镜的所述第一端子，且所述第三端子耦合到低电压LV线；

使用阻抗、所述第一电流镜和所述第二电流镜的电流以及所述主二极管提供所述HV经调节线和所述LV线之间的低于LV阈值的电压差；和

提供所述HV经调节线和所述HV线之间的高于所述LV阈值的电压差。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二电流镜包括LV P 型金属氧化物半导体PMOS装置。