[发明专利]一种高介电绝缘胶膜材料及其制备方法有效
申请号: | 201911285043.8 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN111087843B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 于淑会;高春波;罗遂斌;孙蓉;阮盼盼;徐鹏鹏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | C09D5/24 | 分类号: | C09D5/24;C09D163/00;C09D5/25;C08J7/044;B32B27/08;B32B27/10;B32B27/28;B32B27/32;B32B27/36;B32B33/00;C08L67/02 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高介电 绝缘 胶膜 材料 及其 制备 方法 | ||
本发明公开一种高介电绝缘胶膜材料及其制备方法。绝缘胶膜材料的特征在于其由三层结构组成,其绝缘聚合物复合物由薄膜材料支撑,绝缘聚合物复合物表面覆盖一层保护膜。绝缘聚合物复合物由导电浆料制成,导电浆料含有复合介电填料,所述的复合介电填料由氮化硼纳米片和无机陶瓷粒子构成。本发明所述的高介电绝缘胶膜材料制备方法和所用材料简单,介电损耗低,可应用于印刷线路板、基板、载板等半导体电子封装。
技术领域
本发明属于电子封装材料技术领域,更具体地,本发明涉及一种应用于半导体系统级封装用的高介电绝缘胶膜材料。
背景技术
随着电子信息技术的发展,特别是近年来以可穿戴电子、智能手机、超薄电脑、无人驾驶、物联网技术和5G通讯技术为主的快速发展,对电子系统的小型化、轻薄化、多功能、高性能等方面提出了越来越高的要求。绝缘电介质材料是电子封装技术的一种重要材料。其介电常数越高,对电子产品的小型化越有利。在高频高速应用中,为了降低信号传输过程的损耗,要求其具有低介电损耗。一般地,作为电容器功能的电介质材料一般采用分立式贴装在封装基板上。电容器与芯片之间的距离较大,产生较大的寄生损耗。
为了解决上述问题,本发明提供一种可用于半导体封装的、适用于加成法或半加成法制备封装基板的高介电绝缘胶膜材料,其特征在于,该绝缘胶膜材料具有高介电常数和低介电损耗,同时以薄膜的形式存在,可按需要将绝缘胶膜材料设计成电容器埋入在封装基板内部,加工在与芯片距离较近的位置,且电容器的容值可按电极面积设计成所需的电容值。
发明内容
为了克服现有技术的缺陷,本发明提供一种可用于半导体封装的、适用于加成法或半加成法制备线路的高介电绝缘胶膜材料。
为了实现上述发明目的,本发明采取了以下技术方案。
本发明涉及一种导电浆料,其含有复合介电填料,所述的复合介电填料由氮化硼纳米片和无机陶瓷粒子构成,所述的无机陶瓷粒子选自钛酸钡、钛酸锶钡、钛酸锶、钛酸铅、锆钛酸钡、铌镁酸铅、钛酸铜钙、氧化铝、氧化镁、氧化锆、二氧化钛、氮化硅、碳化硅、氮化硼、氧化锌中的一种粒子或两种以上粒子的组合,优选为一种,两种或者三种。
在本发明的技术方案中,复合介电填料通过以下方法获得,
1-1)将氮化硼通过离心剥离,获得氮化硼纳米片,
1-2)将无机陶瓷颗粒与氮化硼纳米片水溶液混合,抽滤获得无机陶瓷颗粒和氮化硼纳米片的混合物;将混合物进行煅烧获得复合介电填料。
在本发明的技术方案中,步骤1-2)中的煅烧温度为500-1000℃。
在本发明的技术方案中,无机陶瓷颗粒与氮化硼纳米片的比例1-3:1。
在本发明的技术方案中,复合介电填料占导电浆料的比例为的5%~85%,优选为20%~75%,更优的为40%~70%。
在本发明的技术方案中,复合介电填料中的无机陶瓷颗粒粒径为10nm~500nm。
在本发明的技术方案中,导电浆料中还包含高分子聚合物、高分子聚合物固化剂、固化促进剂。
在本发明的技术方案中,高分子聚合物为环氧树脂,环氧树脂选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛型环氧树脂、多官能团环氧树脂、邻甲酚醛型环氧树脂、脂环族环氧树脂、间苯二酚环氧树脂、橡胶改性环氧树脂、聚氨酯改性环氧树脂、联苯环氧树脂、双环戊二烯环氧树脂、奈型环氧树脂中的一种或几种的组合;
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