[发明专利]一种制作N型PERT双面太阳电池及其制备工艺

说明书

本发明公开一种制作N型PERT双面太阳电池及其制备工艺，所述制备工艺包括：制绒步骤:对N型硅片正背双面进行制绒；离子注入步骤：对N型硅片正面离子注入硼形成PN结，对N型硅片背面离子注入磷形成N⁺N结，形成双结结构；双面同时加工步骤：对双结结构的N型硅片正背双面同时加工制备钝化减反结构；烧结步骤：对双面同时加工后的N型硅片进行共烧结处理，形成N型PERT双面太阳电池，所述钝化减反结构包括逐层叠加的SiO₂钝化膜、SiN_X减反膜以及Ag电极，通过对N型硅片双面同时逐层制备SiO₂钝化膜、SiN_X减反膜以及Ag电极，形成双面太阳电池，由于同时进行加工，制备流程短，加工效率高，满足市场需求。

技术领域

本发明涉及太阳电池技术领域，尤其是涉及的是一种制作N型PERT双面太阳电池及其制备工艺。

背景技术

近两年来，N型硅太阳电池由于它优越的性能，包括少子寿命大于1000μs，对金属杂质不敏感，也没有P型硅材料中大量的B-O键而造成光衰减的问题，且弱光效应好。所以已受到一线电池厂竞相投入开发。预测到2020年之前可实现大量生产低成本且平均效率大于23％的N型太阳电池。

现有的N型太阳电池的制作方法，为逐面加工制备，制作工艺流程长，加工效率低，不能满足生产需求。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供一种制作N型PERT双面太阳电池及其制备工艺。

为实现上述目的，本发明的技术解决方案是：一种制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺，所述制备工艺包括：

制绒步骤:对N型硅片正背双面进行制绒；

离子注入步骤：对N型硅片正面离子注入硼形成PN结，对N型硅片背面离子注入磷形成N⁺N结，形成双结结构；

双面同时加工步骤：对双结结构的N型硅片正背双面同时加工制备钝化减反结构；

烧结步骤：对双面同时加工后的N型硅片进行共烧结处理，形成N型PERT双面太阳电池。

优选的，钝化减反结构包括逐层叠加的SiO₂钝化膜、SiN_X减反膜以及Ag电极。

优选的，双面同时加工步骤包括：

SiO₂钝化膜制备步骤：对双结结构的N型硅片正背双面同时进行激活回火，并通入纯氧，生成SiO₂钝化膜；

SiN_X减反膜制备步骤：对生成SiO₂钝化膜后的N型硅片正背双面同时利用PECVD法生成SiN_x减反膜；

Ag电极制备步骤：对生成SiN_X减反膜的N型硅片正背双面同时印刷Ag电极。

优选的，还包括测试步骤：对形成的N型PERT双面太阳电池进行电性测试。

优选的，激活回火的温度为1000℃-1050℃。

优选的，通入纯氧的流量为80ml/min。

一种根据上述一种制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺所制作的一种N型PERT双面太阳电池，包括N型硅片、覆盖在N型硅片正背双面的P发射极和N⁺背场以及对称设置在N型硅片正背两面且依次叠加的SiO₂钝化膜、SiN_X减反膜和Ag电极。

优选的，所述SiO₂钝化膜的厚度为10～20nm。