[发明专利]一种多孔Ta3

权利要求书

1.一种多孔Ta₃N₅单晶材料，其特征在于，所述多孔Ta₃N₅单晶材料中含有10nm～1000nm的孔；

所述多孔Ta₃N₅单晶材料的表面为多孔Ta₃N₅单晶的(002)面、(023)面、(041)面中的至少一面。

2.根据权利要求1所述的多孔Ta₃N₅单晶材料，其特征在于，所述多孔Ta₃N₅单晶材料中含有10nm～500nm的孔；

可选地，所述多孔Ta₃N₅单晶材料中含有50nm～100nm的孔。

3.根据权利要求1所述的多孔Ta₃N₅单晶材料，其特征在于，所述多孔Ta₃N₅单晶材料为多孔Ta₃N₅单晶薄膜和/或多孔Ta₃N₅单晶晶体。

4.根据权利要求3所述的多孔Ta₃N₅单晶材料，其特征在于，所述多孔Ta₃N₅单晶薄膜的厚度为10nm～500μm；

优选地，所述多孔Ta₃N₅单晶薄膜的厚度为10nm～50μm。

5.根据权利要求3所述的多孔Ta₃N₅单晶材料，其特征在于，所述多孔Ta₃N₅单晶晶体的尺寸为0.1cm～30cm；

优选地，所述多孔Ta₃N₅单晶晶体的尺寸为0.5cm～5cm。

6.权利要求1至5任一项所述的多孔Ta₃N₅单晶材料的制备方法，其特征在于，至少包括：

将钽源与含有氨气的原料气接触反应，得到所述多孔Ta₃N₅单晶材料；

其中，所述钽源选自含钽单晶材料中的至少一种；

所述反应的温度为873K～1273K；

所述反应的升温速率为5～30℃/min；

所述反应的压力为1Torr～900Torr；

所述反应的时间为1min～500h；

优选地，所述反应的温度为1073K～1273K；

所述反应的升温速率为10～20℃/min；

所述反应的压力为50Torr～300Torr；

所述反应的时间为5min～300h。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述含有氨气的原料气中包括氨气和氮气、氩气、氢气中的至少一种；

其中，氨气的流量记为a，氮气的流量记为b，氩气的流量记为c，氢气的流量记为d，满足：

0.05SLM≤a≤100SLM；

0SLM≤b≤100SLM；

0SLM≤c≤100SLM；

0SLM≤d≤100SLM；

优选地，

0.3SLM≤a≤1SLM；

0.05SLM≤b≤1SLM；

0.05SLM≤c≤1SLM；

0.05SLM≤d≤0.5SLM；

优选地，所述含有氨气的原料气由第一气体和第二气体组成；

所述第一气体为氨气；所述第二气体选自氮气、氩气、氢气中的至少一种。