[发明专利]一种供电系统及其整流电路在审

专利信息
申请号: 201911285679.2 申请日: 2019-12-13
公开(公告)号: CN110880878A 公开(公告)日: 2020-03-13
发明(设计)人: 谢周悦 申请(专利权)人: 浙江禾川科技股份有限公司
主分类号: H02M7/219 分类号: H02M7/219
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 薛娇
地址: 324400 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 供电系统 及其 整流 电路
【说明书】:

发明公开了一种整流电路,在电源输出的交流电的正半周期,电流会先流入第一整流桥,然后再经过第二整流桥后返回电源,在负半周期电流会先流入第二整流桥,然后再经过第一整流桥后返回电源,不会在两个整流桥上产生分流的现象,即使两个整流桥的阻值不同也不会由于分流不均导致烧坏整流桥的现象发生,延长了使用寿命。本发明还公开了一种供电系统,具有如上整流电路相同的有益效果。

技术领域

本发明涉及整流领域,特别是涉及一种整流电路,本发明还涉及一种供电系统。

背景技术

在对大电流进行整流时,为了节省成本,如图2所示,现有技术中经常采用两个小规格的整流桥并联在一起对大电流进行整流(其中D1至D8均为半导体开关),但是电源输出的电流在经过并联的两个整流桥时要进行分流,这就要求两个整流桥上分得的电流要均衡,但是由于半导体特性的差异,即使选择同一型号的半导体开关,两个整流桥的初始阻抗也会有所不同,如此一来,两个整流桥分得的电流值便不相等,分得电流值较大的整流桥的发热便会高于另一个整流桥,而且热度越高半导体开关的阻抗越小,便会导致电流分配进一步失衡,使得整流桥很容易被烧坏,使用寿命较短。

因此,如何提供一种解决上述技术问题的方案是本领域技术人员目前需要解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种整流电路,不会在两个整流桥上产生分流的现象,即使两个整流桥的阻值不同也不会由于分流不均导致烧坏整流桥的现象发生,延长了使用寿命;本发明的另一目的是提供一种包括上述整流电路的供电系统,不会在两个整流桥上产生分流的现象,即使两个整流桥的阻值不同也不会由于分流不均导致烧坏整流桥的现象发生,延长了使用寿命。

为解决上述技术问题,本发明提供了一种整流电路,包括具有第一桥臂和第二桥臂的第一整流桥以及具有第三桥臂和第四桥臂的第二整流桥;

所述第一桥臂的输入端以及所述第二桥臂的输入端均分别与所述第三桥臂的输入端、所述第四桥臂的输入端以及负载的负极连接;所述第一桥臂的输出端以及所述第二桥臂的输出端均分别与所述第三桥臂的输出端、所述第四桥臂的输出端以及所述负载的正极连接;

所述第一桥臂中两个半导体开关之间的连接点以及所述第二桥臂中两个半导体开关之间的连接点均与电源的正极连接;所述第三桥臂中两个半导体开关之间的连接点以及所述第四桥臂中两个半导体开关之间的连接点均与所述电源的负极连接。

优选地,所述第一桥臂包括第一半导体开关以及第二半导体开关,所述第二桥臂包括第三半导体开关以及第四半导体开关,所述第三桥臂包括第五半导体开关以及第六半导体开关,所述第四桥臂包括第七半导体开关以及第八半导体开关;

所述第一半导体开关的正极作为所述第一桥臂的输入端,所述第一半导体开关的负极与所述第二半导体开关的正极连接,所述第二半导体开关的负极作为所述第一桥臂的输出端;所述第三半导体开关的正极作为所述第二桥臂的输入端,所述第三半导体开关的负极与所述第四半导体开关的正极连接,所述第四半导体开关的负极作为所述第二桥臂的输出端;所述第五半导体开关的正极作为所述第三桥臂的输入端,所述第五半导体开关的负极与所述第六半导体开关的正极连接,所述第六半导体开关的负极作为所述第三桥臂的输出端;所述第七半导体开关的正极作为所述第四桥臂的输入端,所述第七半导体开关的负极与所述第八半导体开关的正极连接,所述第八半导体开关的负极作为所述第四桥臂的输出端。

优选地,所述第一半导体开关、所述第二半导体开关、所述第三半导体开关、所述第四半导体开关、所述第五半导体开关、所述第六半导体开关、所述第七半导体开关以及所述第八半导体开关均为二极管。

优选地,所述第一半导体开关、所述第二半导体开关、所述第三半导体开关、所述第四半导体开关、所述第五半导体开关、所述第六半导体开关、所述第七半导体开关以及所述第八半导体开关均为可控硅开关;

则该整流电路还包括:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江禾川科技股份有限公司,未经浙江禾川科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911285679.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top