[发明专利]光电二极管及制备方法、显示基板、显示装置

权利要求书

1.一种光电二极管的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上形成半导体材料层；所述半导体材料层包括：第一接触区、第二接触区、以及夹设在所述第一接触区和所述第二接触区之间的半导体区；

对所述半导体材料层的所述第一接触区进行处理，形成第一接触电极；

对所述半导体材料层的所述半导体区和所述第二接触区远离所述基底的部分进行处理，形成叠层设置的第一半导体层和第二半导体层；

对所述第二半导体层对应所述第二接触区的部分进行处理，形成第二接触电极；所述第一接触电极位于所述基底上且位于所述第一半导体层的一端；所述第二接触电极位于所述第一半导体层上且位于所述第二半导体层远离所述第一接触电极的一端；其中，所述第一接触电极的厚度等于所述第一半导体层和所述第二半导体层的厚度之和，所述第二接触电极的厚度等于所述第二半导体层的厚度；

在所述第一接触电极、所述第二半导体层和所述第二接触电极上形成层间绝缘层；

通过构图工艺，在所述层间绝缘层对应所述第一接触电极与所述第二接触电极的位置，形成的第一过孔和第二过孔；

在所述层间绝缘层上形成第一连接电极和第二连接电极；所述第一连接电极和所述第二连接电极通过所述第一过孔和所述第二过孔分别连接所述第一接触电极和所述第二接触电极。

2.根据权利要求1所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，所述在基底上形成半导体材料层，包括：

通过溅射工艺，利用第一半导体材料在所述基底上形成所述半导体材料层。

3.根据权利要求2所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，所述对所述半导体材料层的所述第一接触区进行处理，形成第一接触电极，包括：

在所述半导体材料层的所述第一接触区注入第一浓度的第一离子，形成所述第一接触电极；

所述第一离子与所述第一半导体材料的极性相同。

4.根据权利要求3所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，所述第一离子包括：硼离子或镓离子。

5.根据权利要求3所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，所述对所述半导体材料层的所述半导体区和所述第二接触区远离所述基底的部分进行处理，形成叠层设置的第一半导体层和第二半导体层，包括：

在所述半导体材料层的所述半导体区和所述第二接触区远离所述基底的部分注入第二浓度的第二离子，形成叠层设置的所述第一半导体层和所述第二半导体层；

所述第二离子与所述第一半导体材料的极性相反。

6.根据权利要求5所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，所述对所述第二半导体层对应所述第二接触区的部分进行处理，形成第二接触电极，包括：

在所述第二半导体层对应所述第二接触区的部分注入第三浓度的第二离子，形成所述第二接触电极。

7.根据权利要求5或6所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，所述第二离子包括：磷离子或砷离子。

8.一种光电二极管，其特征在于，包括：基底、第一半导体层、第二半导体层、第一接触电极、第二接触电极、层间绝缘层、 第一过孔、第二过孔、第一连接电极和第二连接电极；

所述第一半导体层位于所述基底上；

所述第一接触电极位于所述基底上且位于所述第一半导体层的一端；

所述第二半导体层位于所述第一半导体层上；

所述第二接触电极位于所述第一半导体层上且位于所述第二半导体层远离所述第一接触电极的一端；其中，所述第一接触电极的厚度等于所述第一半导体层和所述第二半导体层的厚度之和，所述第二接触电极的厚度等于所述第二半导体层的厚度；

所述层间绝缘层位于所述第一接触电极、所述第二半导体层和所述第二接触电极上；

所述第一过孔和所述第二过孔贯穿所述层间绝缘层，且与所述第一接触电极与所述第二接触电极的位置对应；

所述第一连接电极和所述第二连接电极位于所述层间绝缘层上，且通过所述第一过孔和所述第二过孔分别连接所述第一接触电极和所述第二接触电极。