[发明专利]衬底、LED及其制造方法

说明书

本申请公开了一种衬底、LED及其制造方法，该衬底包括：衬底主体，衬底主体的一侧主表面上一体形成有彼此间隔排布且突出于主表面的多个转移支撑结构；转移牺牲层，层叠设置于衬底主体的主表面上，并使得转移支撑结构远离衬底主体的端部外露，其中衬底主体针对特定蚀刻液的耐受度大于转移牺牲层。通过上述方式，本申请提供的衬底能够在后续生成LED单元后通过对转移牺牲层进行蚀刻，而利用转移支撑结构相对于衬底主体悬空支撑LED单元，减小LED单元与衬底之间的附着力，降低分离和转移难度。进一步，上述方式可以提高LED单元在衬底上的排布密度，减少LED芯片面积的损失，降低LED的制造成本。

技术领域

本申请涉及发光二极管领域，特别是一种衬底、LED及其制造方法。

背景技术

发光二极管(light emitting diode，LED)是将电能转换为光的固态元件，LED具有体积小、效率高和寿命长等优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率LED可以实现半导体固态照明，引起人类照明史的革命，从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。

目前，LED一般通过外延生长方式形成于衬底上，并在某些特定应用下需要将芯片从衬底进行分离和转移，例如应用于显示领域的Micro LED，以及应用于手电筒、闪光灯和车灯等领域的垂直结构LED芯片等。如何有效地实现LED与衬底之间的分离是业界有待解决的问题。

发明内容

本申请提供一种衬底、LED及其制造方法，能够有效地减小后续生成的LED单元与衬底之间的附着力，降低分离和转移难度。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供了一种衬底，该衬底包括：衬底主体，衬底主体的一侧主表面上一体形成有彼此间隔排布且突出于主表面的多个转移支撑结构；转移牺牲层，层叠设置于衬底主体的主表面上，并使得转移支撑结构远离衬底主体的端部外露，其中衬底主体针对特定蚀刻液的耐受度大于转移牺牲层。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供了一种衬底的制造方法，该方法包括：提供一衬底主体，其中衬底主体的一侧主表面上一体形成有彼此间隔排布的多个转移支撑结构；在衬底主体的主表面上形成一转移牺牲层，其中转移牺牲层使得转移支撑结构远离衬底主体的端部外露，衬底主体针对特定蚀刻液的耐受度大于转移牺牲层。

为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种 LED芯片的制造方法，方法包括：提供如前述的衬底；在转移牺牲层远离衬底主体的一侧形成发光外延层；对发光外延层进行图案化，以形成多个LED单元；对转移牺牲层进行蚀刻，以使得多个LED单元与转移牺牲层分离，并分别由不同的转移支撑结构进行支撑。

为解决上述技术问题，本申请采用的再一个技术方案是：提供一种 LED，LED包括：衬底主体以及一体形成于衬底主体的一侧主表面上的多个转移支撑结构；多个LED单元，多个LED单元分别由不同的转移支撑结构进行支撑，并与衬底主体保持一定间隔。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请通过在衬底主体的主表面上层叠设置转移牺牲层，而该主表面上还一体形成有彼此间隔排布且突出于主表面的多个转移支撑结构，转移支撑结构远离衬底主体的端部外露于转移牺牲层，衬底主体针对特定蚀刻液的耐受度大于转移牺牲层。在后续生成LED单元后，通过特定蚀刻剂蚀刻转移牺牲层，而一体结构的衬底主体以及转移支撑结构得以保留，以利用转移支撑结构相对于衬底主体悬空支撑LED单元，该转移支撑结构在后续工艺中作为一个弱化结构，进而便于LED单元在相对较小的外力作用下从该弱化结构上分离。同时，由于转移支撑结构直接支撑于LED单元与衬底主体之间，可以提高LED单元在衬底上的排布密度，减少LED芯片面积的损失，降低LED的制造成本。

附图说明