[发明专利]一种大面积金属氧化物纳米阵列的剥离转移方法在审
申请号: | 201911288794.5 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN111056527A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 杨庭强;梁维源;范涛健;张家宜;康建龙;曾永宏;孟思;张斌 | 申请(专利权)人: | 深圳瀚光科技有限公司 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518027 广东省深圳市龙华区观澜*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大面积 金属 氧化物 纳米 阵列 剥离 转移 方法 | ||
1.一种金属氧化物纳米阵列的剥离转移方法,所述方法包括以下步骤:
(1)选取与金属氧化物晶格常数失配率大于5%且热膨胀系数差异大于5×10-6K的基底材料;
(2)在所述基底材料的表面预先制备金属氧化物种子层薄膜,在该过程中将退火温度控制在200~500℃;
(3)将所述表面预制有金属氧化物种子层薄膜的基底材料浸入水热前驱体溶液中进行水热反应,从而在所述基底材料的表面生长一层金属氧化物纳米阵列;
(4)将所述水热制备的金属氧化物纳米阵列在200~500℃下热处理,实现所述金属氧化物纳米阵列与所述基底材料的分离;和
(5)将所述金属氧化物纳米阵列剥离至有机粘结剂或溶胶中,选取目标基底捞取所述分离的金属氧化物纳米阵列,使其贴附在所述目标基底的表面,然后在200~500℃温度下、空气气氛中进行热处理,除去残余的有机物,从而实现所述金属氧化物纳米阵列的转移。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属氧化物选自ZnO,CuO,NiO和Co3O4。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述基底材料包括但不限于玻璃基底和Si基底。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述基底材料是FTO玻璃基底。
5.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述水热前驱体溶液是由所述金属氧化物对应金属的硝酸盐溶液与胺溶液混合制得的。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述胺溶液包括但不限于环六亚甲基四胺溶液和尿素溶液。
7.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述目标基底是曲面基底。
8.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述有机粘结剂包括但不限于曲拉通和松油醇。
9.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述溶胶为所述金属氧化物对应金属的醋酸盐溶胶。
10.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述金属氧化物纳米阵列的转移面积高达1cm2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳瀚光科技有限公司,未经深圳瀚光科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911288794.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。