[发明专利]同步整流控制电路、隔离式电源变换电路及控制方法

说明书

本发明揭示了一种同步整流控制电路、隔离式电源变换电路及控制方法，同步整流控制电路能耦接一同步整流晶体管，并能向同步整流晶体管发送控制信号；同步整流控制电路包括：比较电路、驱动电路、信号调节电路和导通压降调节电路。比较电路的输入端分别耦接同步整流晶体管、至少一基准信号，比较电路的输出端分别耦接驱动电路以及信号调节电路；驱动电路的输出端耦接同步整流晶体管，用以根据比较电路输出的信号向同步整流晶体管发送控制信号；信号调节电路的输出端耦接比较电路，用以根据比较电路输出的信号调节至少一基准信号中的设定基准信号。本发明可实现对同步整流晶体管的精准关断，同时可提高关断速度，提升电路的可靠性。

技术领域

本发明属于电子电路技术领域，涉及一种控制电路，尤其涉及一种同步整流控制电路、隔离式电源变换电路及控制方法。

背景技术

同步整流技术(Synchronous Rectification，简称SR)是一项用MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管)取代整流二极管以降低整流损耗的技术，目前它在工业电源、消费类电子等领域都已经得到广泛的应用。图1为采用二极管做副边整流的Flyback架构图，图2为采用SR做副边整流的Flyback架构图。采用通态电阻极低的同步整流MOSFET替换整流二极管，可降低整流损耗。

SR MOSFET关断设计是SR控制技术的重点和难点；业界SR关断的方法通常有两种，分别为预判式和电压检测关断方式。

图3为现有预判式SR关断方法的波形示意图；请参阅图3，预判式SR关断方法通过预测的方式获取SR MOSFET的关断点，缺点是动态过程可能共通，即原边功率开关管和副边整流管会存在共通的状态，使反激电路的工作异常，可靠性低。

图4为现有采用电压检测关断方式SR关断方法的波形示意图；请参阅图4，电压检测关断方式通过检测MOSFET两端的电压，当漏极和源极之间的电压Vds达到某一阈值Vth_off时，关断MOSFET，缺点是无法兼容CCM，效率低。

有鉴于此，如今迫切需要设计一种新的同步整流控制方式，以便克服现有同步整流控制方式存在的上述缺陷。

发明内容

本发明提供一种同步整流控制电路、隔离式电源变换电路及控制方法，可实现对同步整流晶体管的精准关断，提高电路可靠性。

为解决上述技术问题，根据本发明的一个方面，采用如下技术方案：

一种同步整流控制电路，所述同步整流控制电路能耦接一同步整流晶体管，并能向所述同步整流晶体管发送控制信号；所述同步整流控制电路包括：

比较电路，其输入端分别耦接同步整流晶体管、至少一基准信号，其输出端分别耦接驱动电路以及信号调节电路；

驱动电路，其输出端耦接同步整流晶体管，用以根据所述比较电路输出的信号向所述同步整流晶体管发送控制信号；信号调节电路，用以根据所述比较电路输出的信号调节至少一基准信号中的设定基准信号；以及

导通压降调节电路，其输入端耦接所述设定基准信号，其输出端耦接所述同步整流晶体管，用以调节同步整流晶体管的控制端电压。

作为本发明的一种实施方式，信号调节电路用以根据所述比较电路输出的信号调节设定基准信号，而不对其他基准信号进行调节。在另一个实施方式中，在本发明信号调节电路用以根据所述比较电路输出的信号调节设定基准信号以及其他基准信号。

作为本发明的一种实施方式，所述导通压降调节电路包括跨导运算放大器，其第一输入端和第二输入端分别耦接同步整流晶体管的漏极和第二基准信号，其输出端耦接同步整流晶体管的控制端，第二基准信号为所述设定基准信号。