[发明专利]一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的光子探测器在审
申请号: | 201911290347.3 | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN111146307A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 安义鹏;朱明甫;马传琦;马天里;刘尚鑫;赵永;武大鹏;赵传熙;康军帅;焦照勇 | 申请(专利权)人: | 河南师范大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/032 |
代理公司: | 新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 41139 | 代理人: | 路宽 |
地址: | 453007 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 过渡 金属 二硫化物 侧面 异质结 光子 探测器 | ||
1.一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的光子探测器,其特征在于该光子探测器由具有金属特性的1T相结构的二硫化钒单层与呈现半导体特性的2H相结构的二硫化钼单层组成的单层侧面异质结构成。
2.根据权利要求1所述的基于过渡金属二硫化物侧面异质结的光子探测器,其特征在于:所述1T相结构的二硫化钒单层和2H相结构的二硫化钼单层根据接触方式不同可分为两类,分别沿着它们的锯齿型方向或扶手椅型方向耦合成两类侧面异质结结构。
3.根据权利要求2所述的基于过渡金属二硫化物侧面异质结的光子探测器,其特征在于:在具有金属特性的1T相结构的二硫化钒单层区域施加漏极电源,在呈现半导体特性的2H相结构的二硫化钼单层区域施加源极,在二者的交界处附近底部施加栅极,构成三极管结构,其在无外界电源或较低栅极电压的情况下均表现出较好的蓝光探测作用和光伏发电作用。
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