[发明专利]一种声光晶体与换能器的键合结构及制备在审
申请号: | 201911290832.0 | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN110927996A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 欧惠航;马新建;吴先云;廖洪平;陈秋华;张星;陈伟 | 申请(专利权)人: | 福建福晶科技股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/11 | 分类号: | G02F1/11 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350003 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 声光 晶体 换能器 结构 制备 | ||
1.一种声光晶体与换能器的键合结构及制备,其特征在于:使用磁控溅射的方式在声光晶体和换能器表面分别依次镀制打底层和电极层,无需单独镀制焊接层,声光晶体的电极层和换能器的电极层作为焊接层直接键合在一起,通过合理选择打底层材料,并优化设计打底层和电极层的厚度,降低键合层的膜层应力,增强换能器的附着力,同时满足声阻抗匹配要求。
2.根据权利要求1所述的一种声光晶体与换能器的键合结构及制备,其特征在于:所述声光晶体和换能器上的打底层材料为NiCr合金,电极层材料为Au。
3.根据权利要求2所述的一种声光晶体与换能器的键合结构及制备,其特征在于:所述声光晶体和换能器上的打底层厚度为30nm,电极层厚度为700nm。
4.根据权利要求1所述的一种声光晶体与换能器的键合结构及制备,其特征在于:通过选择NiCr合金作为打底层材料,优化设计打底层和电极层的厚度,以此降低键合层的膜层应力,增强换能器的附着力,并满足声阻抗匹配要求。
5.根据权利要求1所述的一种声光晶体与换能器的键合结构及制备,其特征在于:使用磁控溅射镀膜机在真空环境中溅射获得高光洁度、高机械强度的膜层,解决声光器件在减薄过程中换能器会开裂的问题。
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